一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法，提供衬底，衬底上形成有停止层以及介质层，介质层中形成有沟槽，在沟槽中形成第一填充层，在第一填充层中形成通孔，通孔贯穿第一填充层和介质层至停止层上。而后，去除第一填充层，刻蚀停止层，形成贯穿至衬底的沟槽‑通孔结构，在沟槽‑通孔结构中形成第二填充层。这样，在介质层中形成沟槽，而后在沟槽底部的介质层中形成贯穿介质层至停止层的通孔，在刻蚀停止层后便可以形成贯穿至衬底的沟槽‑通孔结构，无需在金属硬掩模层上形成沟槽，因而无需在介质层上形成金属硬掩模层，节省工艺成本，简化工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
双大马士革(dualdamascence)结构广泛用于半导体制造后段金属连线工艺中，通过刻蚀工艺形成垂直连接通孔(via)-沟槽(trench)结构，而后向该结构中填入金属材料，形成导电互连层，实现器件互连。目前形成双大马士革结构的方法需要利用金属层作为硬掩模层，但是金属硬掩模层的成本较高，且工艺流程较为繁琐。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，无需利用金属层作为硬掩模层，节省工艺成本，简化工艺流程。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成停止层以及介质层，所述介质层中形成有沟槽；在所述沟槽中形成第一填充层，在所述第一填充层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一填充层和所述介质层至所述停止层上；去除所述第一填充层，刻蚀所述停止层，形成贯穿至所述衬底的沟槽-通孔结构，在所述沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有停止层以及介质层，所述介质层中形成有沟槽；/n在所述沟槽中形成第一填充层，在所述第一填充层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一填充层和所述介质层至所述停止层上；/n去除所述第一填充层，刻蚀所述停止层，形成贯穿至所述衬底的沟槽-通孔结构，在所述沟槽-通孔结构中形成第二填充层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有停止层以及介质层，所述介质层中形成有沟槽；
在所述沟槽中形成第一填充层，在所述第一填充层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一填充层和所述介质层至所述停止层上；
去除所述第一填充层，刻蚀所述停止层，形成贯穿至所述衬底的沟槽-通孔结构，在所述沟槽-通孔结构中形成第二填充层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层中形成有沟槽的方法包括：
在所述介质层上形成第一光阻层；
图案化所述第一光阻层，以在所述第一光阻层中形成沟槽图案；
以图案化的第一光阻层为掩膜，刻蚀所述介质层，以在介质层中形成沟槽。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一填充层中形成通孔，所述通孔贯穿所述第一填充层和所述介质层至所述停止层上，包括：
在所述第一填充层上依次形成硬掩模层和第二光阻层；
图案化所述第二光阻层，以在所述第二光阻层中形成通孔图案；
以图案化的第二光阻层为掩膜，刻蚀所述硬掩模层，以在硬掩模层中形成通孔；
以所述硬掩模层为遮蔽，刻蚀所述第一填充层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锐，刘昭，邵克坚，张大明，肖为引，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42