一种半导体结构及其制造方法技术

本申请提供一种半导体结构及其制造方法，包括提供第一介质层，第一介质层中形成有通孔，向通孔中填充导体材料，以形成通孔中的接触塞，对接触塞的上部拐角进行平滑处理，这是因为通常接触塞的结构为倒梯形，上部横向尺寸最大，因此不同接触塞的上部距离最近，容易导致错误连接造成短路，平滑接触塞的上部拐角之后，不同接触塞之间的上部距离扩大，因此扩大了接触塞之间的整体距离，降低接触塞之间错误连接导致短路的风险，降低了接触塞在施加电压之后击穿的风险，提高器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
目前，在后段(back-end-of-line，简称BEOL)工艺中，通常使用镶嵌式工艺来制作多层内连线结构，在层间介质层(InterLayerDielectric，ILD)内蚀刻出沟槽(Trench)和/或通孔(via)，而后在沟槽和/或通孔中填充金属构成连线结构，然而随着器件尺寸的减小，连线结构之间的距离相应减小，而连线结构的尺寸受到刻蚀工艺的限制，因此存在连线结构短路的风险。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法，扩大连线结构之间的距离，降低连线结构短路的风险。为实现上述目的，本申请有如下技术方案：一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一介质层；所述第一介质层中形成有通孔；向所述通孔中填充导体材料，以形成所述通孔中的接触塞；对所述接触塞的上部拐角进行平滑处理，以扩大不同接触塞的上部拐角之间的距离。可选的，所述对所述接触塞的上部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供第一介质层；所述第一介质层中形成有通孔；/n向所述通孔中填充导体材料，以形成所述通孔中的接触塞；/n对所述接触塞的上部拐角进行平滑处理，以扩大不同接触塞的上部拐角之间的距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一介质层；所述第一介质层中形成有通孔；
向所述通孔中填充导体材料，以形成所述通孔中的接触塞；
对所述接触塞的上部拐角进行平滑处理，以扩大不同接触塞的上部拐角之间的距离。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述接触塞的上部拐角进行平滑处理，包括：
利用平坦化工艺对所述第一介质层和所述接触塞进行处理，以平滑所述接触塞的上部拐角，且使所述接触塞凸出所述第一介质层表面；在所述平坦化工艺中，所述第一介质层的去除速率大于所述导体材料的去除速率。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述接触塞的上部拐角进行平滑处理，包括：
利用刻蚀工艺对所述第一介质层和所述接触塞进行处理，以平滑所述接触塞的上部拐角；在所述刻蚀工艺中，所述第一介质层的去除速率大于所述导体材料的去除速率。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述接触塞的上部为拱形结构。

【专利技术属性】
技术研发人员：张栋，郑祖辉，梁玲，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42