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本申请提供一种半导体结构及其制造方法，包括提供第一介质层，第一介质层中形成有通孔，向通孔中填充导体材料，以形成通孔中的接触塞，对接触塞的上部拐角进行平滑处理，这是因为通常接触塞的结构为倒梯形，上部横向尺寸最大，因此不同接触塞的上部距离最近，...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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