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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提供衬底，衬底上形成有停止层以及介质层，介质层中形成有沟槽，在沟槽中形成第一填充层，在第一填充层中形成通孔，通孔贯穿第一填充层和介质层至停止层上。而后，去除第一填充层，刻蚀停止层，形成贯穿至衬底的沟槽‑...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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