半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底及凸出于所述基底的鳍部，所述基底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域的鳍部上形成第一功函数层；在所述第一功函数层上形成第二功函数层；在所述第二功函数层上形成第三功函数层；在所述第三功函数层上形成保护层；在所述第一区域和第二区域的基底上形成光刻胶涂层，所述光刻胶涂层覆盖所述保护层；去除所述第一区域的所述光刻胶涂层，露出所述第一区域的保护层；去除露出的所述保护层；去除所述第一区域的所述第三功函数层。本发明专利技术有助于保护所述第一区域的所述第二功函数层，防止去除所述第一区域的所述光刻胶涂层的工艺中，所述第一区域的所述第二功函数层受到刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
晶体管尺寸小型化是半导体结构发展的趋势，然而晶体管的尺寸的持续缩小也带来一系列技术问题，例如栅介质层过薄导致栅极与沟道间的漏电流较高，尺寸缩小使得多晶硅栅极的电阻显著增加等。研究者发现，以高k栅介质层替代氧化硅或氮氧化硅材料形成栅介质层，并以金属栅替代传统的多晶硅栅极材料制作的晶体管，即高k金属栅(HKMG，HighKMetalGate)晶体管可有效的解决上述问题。一方面，所述高k栅介质层可减少栅极与沟道之间的遂穿电流；另一方面，金属栅的电阻率极小，能够有效防止栅极电阻的增加。但是，现有技术中半导体结构的性能仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够避免损伤所述第一区域的所述第二功函数层，从而提高半导体结构的电学性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构形成方法，包括：提供基底及凸出于所述基底的鳍部，所述基底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底及凸出于所述基底的鳍部，所述基底包括第一区域和第二区域；/n在所述第一区域和第二区域的鳍部上形成第一功函数层；/n在所述第一功函数层上形成第二功函数层；/n在所述第二功函数层上形成第三功函数层；/n在所述第三功函数层上形成保护层；/n在所述第一区域和第二区域的基底上形成光刻胶涂层，所述光刻胶涂层覆盖所述保护层；/n去除所述第一区域的所述光刻胶涂层，露出所述第一区域的保护层；/n去除露出的所述保护层；/n去除所述第一区域的所述第三功函数层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：
提供基底及凸出于所述基底的鳍部，所述基底包括第一区域和第二区域；
在所述第一区域和第二区域的鳍部上形成第一功函数层；
在所述第一功函数层上形成第二功函数层；
在所述第二功函数层上形成第三功函数层；
在所述第三功函数层上形成保护层；
在所述第一区域和第二区域的基底上形成光刻胶涂层，所述光刻胶涂层覆盖所述保护层；
去除所述第一区域的所述光刻胶涂层，露出所述第一区域的保护层；
去除露出的所述保护层；
去除所述第一区域的所述第三功函数层。


2.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为非晶硅、多晶硅、锗化硅或磷化硅。


3.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一区域的所述光刻胶涂层。


4.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述光刻胶涂层后，去除所述第一区域的所述光刻胶涂层前，还包括：在所述光刻胶涂层顶部形成氧化层。


5.如权利要求4所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述氧化层后，去除所述第一区域的所述光刻胶涂层前，还包括：在所述氧化层顶部形成掩膜层；图形化所述掩膜层，露出所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐睿智，李波，刘琳，黄豪俊，刘佳磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31