半导体装置的形成方法制造方法及图纸

提供半导体装置的形成方法。提供基板。基板具有第一区与第二区。形成n型功函数层于第一区中的基板上，但不形成n型功函数层于第二区中的基板上。形成p型功函数层于第一区中的n型功函数层与第二区中的基板上。p型功函数层直接接触第二区中的基板。p型功函数层包括金属氧化物。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例一般关于集成电路装置，更特别关于极低临界电压的集成电路装置。
技术介绍
集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能与降低相关成本。尺寸缩小的工艺亦增加处理与形成集成电路的复杂度。为实现这些进展，处理与形成集成电路的方法亦需类似发展。举例来说，多种集成电路的电路装置构件之一为晶体管，其随着尺寸缩小时通常得利于低临界电压。然而降低临界电压的现存方法具有极限。目前亟需新的方法以进一步降低临界电压，但不会对晶体管的其他方面造成不利影响。
技术实现思路
本专利技术一实施例关于半导体装置的形成方法。方法包括提供基板，且基板具有第一区与第二区。形成n型功函数层于第一区中的基板上，但不形成n型功函数层于第二区中的基板上。形成p型功函数层于第一区中的n型功函本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n提供一基板，且该基板具有一第一区与一第二区；/n形成一n型功函数层于该第一区中的该基板上，但不形成该n型功函数层于该第二区中的该基板上；以及/n形成一p型功函数层，其中该p型功函数层包括一金属氧化物，其中该p型功函数层形成于该第一区中的该n型功函数层与该第二区中的该基板上，且其中该p型功函数层直接接触该第二区中的该基板。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,8661.一种半导体装置的形成方法，包括：
提供一基板，且该基板具有一第一区与一第二区；
形成一n型功函数层于该第一区中的该基板上，但不...

【专利技术属性】
技术研发人员：程仲良，方子韦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71