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提供半导体装置的形成方法。提供基板。基板具有第一区与第二区。形成n型功函数层于第一区中的基板上，但不形成n型功函数层于第二区中的基板上。形成p型功函数层于第一区中的n型功函数层与第二区中的基板上。p型功函数层直接接触第二区中的基板。p型功函...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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