一种NPN三明治栅结构的沟槽MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种NPN三明治栅结构的沟槽MOSFET器件，包括元胞结构，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区的上表面一侧形成沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次设置的N+Poly栅极、P型轻掺杂区、N型源极接触区；所述N型漂移区的上表面另一侧设有紧邻沟槽栅极结构的P型基区；所述P型基区的上表面设有相互接触的N型重掺杂区和P型重掺杂区；所述沟槽栅极结构的下表面、侧面以及上表面均设有氧化层，用于隔离N型漂移区、P型基区、N型重掺杂区以及源极金属。本实用新型专利技术在SGT MOSFET的基础上改进，进一步改善功率MOSFET器件的开关特性。关特性。关特性。

【技术实现步骤摘要】
一种NPN三明治栅结构的沟槽MOSFET器件


[0001]本技术涉及功率半导体器件
，尤其涉及一种NPN三明治栅结构的沟槽MOSFET器件。

技术介绍

[0002]随着电力电子系统的发展，功率半导体器件被广泛应用于交通运输、军事防御、能源转换等重要领域，逐渐成为学界重要的研究热点。功率MOS器件是功率半导体器件的重要组成部分，因其具有输入阻抗高、开关速度快、瞬态损耗低等优势，故功率MOS器件在低压功率开关电路中占有主导地位。而由于应用的需求，低压应用下的功率MOSFET器件逐渐开始沿着降低器件开关功耗、提高器件电流能力以及增强器件可靠性的趋势发展。
[0003]为了提高器件的耐压，功率MOSFET器件经历了从横向结构到纵向结构、从平面结构到沟槽结构的不断发展。沟槽结构主要经历了从传统槽栅MOSFET器件到降低表面电场的阶梯氧化层槽栅MOSFET(Resurf Stepped Oxide Trench MOSFET，RSO MOSFET)，再到屏蔽栅沟槽MOSFET(Split
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Gate Trench MOSFE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NPN三明治栅结构的沟槽MOSFET器件，包括元胞结构，其特征在于，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区的上表面一侧形成沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次设置的N+Poly栅极、P型轻掺杂区、N型源极接触区；所述N型漂移区的上表面另一侧设有紧邻沟槽栅极结构的P型基区；所述P型基区的上表面设有相互接触的N型重掺杂区和P型重掺杂区，且N型重掺杂区紧邻沟槽栅极结构设...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，赵一尚，胡汶金，林泳浩，李伟聪，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：