制造半导体器件的方法和半导体器件技术

一种半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构和源极/漏极区域。栅极结构包括位于沟道区域上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的第一功函调整层、位于第一功函调整层上方的第一屏蔽层、第一阻挡层以及金属栅电极层。第一功函调整层由n型功函调整层组成并且包括铝。第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，含铝层具有比第一功函调整层低的铝浓度。本发明专利技术的实施例还涉及制造半导体器件的方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和半导体器件


[0001]本专利技术的实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。

技术介绍

[0002]随着集成电路越来越按比例缩小和对集成电路的速度的要求越来越高，晶体管需要具有越来越大的驱动电流和越来越小的尺寸。因此开发了鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括位于衬底之上的垂直半导体鳍。半导体鳍用于形成源极区域和漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域。形成浅沟槽隔离(STI)区域以限定半导体鳍。FinFET还包括栅极堆叠件，该栅极堆叠件形成在半导体鳍的侧壁和顶面上。由于FinFET具有三维沟道结构，因此对沟道进行离子注入工艺需要格外注意，以减少任何几何效应。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：栅极结构，设置在沟道区域上方；以及源极/漏极区域，其中：所述栅极结构包括：栅极介电层，位于所述沟道区域上方；第一功函调整层，位于所述栅极介电层上方；第一屏蔽层，位于所述第一功函调整层上方；第一阻挡层；和金属栅电极层，所述第一功函调整层包括铝，并且所述第一屏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：栅极结构，设置在沟道区域上方；以及源极/漏极区域，其中：所述栅极结构包括：栅极介电层，位于所述沟道区域上方；第一功函调整层，位于所述栅极介电层上方；第一屏蔽层，位于所述第一功函调整层上方；第一阻挡层；和金属栅电极层，所述第一功函调整层包括铝，并且所述第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，所述含铝层具有比所述第一功函调整层低的铝浓度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一功函调整层由选自由TiAl、TiAlC、TaAl、TaAlC和TiAlN组成的组中的一种制成。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层由选自由TiN、TaN、TaTiN、WN、TiSiN、WCN和MoN组成的组中的至少一种制成。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层由选自由Si、Cr、Mo和Co组成的组中的至少一种制成。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层由选自由Si、Ti、Ta、Cr、Mo和Co组成的组中的至少一种的碳化物制成。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一屏蔽层由选自由Ti、Ta、Ni、W和Mo组成的组中的至少一种的硅化物制成。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一功函调整层的原子百分比的铝含量为67％至86％，并且所述第一屏蔽层...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱德拉谢卡尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：