温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构和源极/漏极区域。栅极结构包括位于沟道区域上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的第一功函调整层、位于第一功函调整层上方的第一屏蔽层、第一阻挡层以及金属栅电极层。第一功函调整层由n型功函调整层组成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。