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本实用新型公开一种NPN三明治栅结构的沟槽MOSFET器件，包括元胞结构，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区的上表面一侧形成沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次设置的N+Poly...
该专利属于深圳市威兆半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体有限公司授权不得商用。

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