具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法技术

三维(3D)存储器器件包括存储器叠层和沿着垂直方向穿过存储器叠层延伸的沟道结构，存储器叠层包括导电层和与导电层交错的电介质层。沟道结构具有沿着横向方向突出并分别面向导电层的多个突出部分，以及分别面向电介质层而不沿着横向方向突出的多个正常部分。沟道结构包括分别在突出部分中的多个阻挡结构，以及分别在突出部分中并在多个阻挡结构之上的多个存储结构。阻挡结构中的每个阻挡结构的垂直尺寸与在阻挡结构之上的存储结构中的相应存储结构的垂直尺寸在名义上相同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法
本公开内容涉及三维(3D)存储器器件及其制造方法。
技术介绍
通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺来将平面存储器单元按比例缩小到较小的尺寸。然而，当存储器单元的特征尺寸接近下限时，平面工艺和制造技术变得越来越有挑战性且造价昂贵。作为结果，平面存储器单元的存储器密度接近上限。3D存储器架构可以处理在平面存储器单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制往返存储器阵列的信号的外围设备。
技术实现思路
在本公开内容中公开了3D存储器器件和用于形成其的方法的实施方式。在一个示例中，3D存储器器件包括存储器叠层和沿着垂直方向穿过存储器叠层延伸的沟道结构，存储器叠层包括导电层和与导电层交错的电介质层。沟道结构具有沿着横向方向突出并分别面向导电层的多个突出部分，以及分别面向电介质层而不沿着横向方向突出的多个正常部分。沟道结构包括分别在突出部分中的多个阻挡结构，以及分别在突出部分中并在多个阻挡结构之上的多个存储结构。阻挡结构中的每个阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器器件，包括：/n存储器叠层，其包括导电层和与所述导电层交错的电介质层；以及/n沟道结构，其沿着垂直方向穿过所述存储器叠层延伸，所述沟道结构具有沿着横向方向突出并分别面向所述导电层的多个突出部分以及分别面向所述电介质层而不沿着所述横向方向突出的多个正常部分，所述沟道结构包括：/n分别在所述突出部分中的多个阻挡结构；以及/n分别在所述突出部分中并在所述多个阻挡结构之上的多个存储结构，/n其中，所述阻挡结构中的每个阻挡结构的垂直尺寸与在所述阻挡结构之上的所述存储结构中的相应存储结构的垂直尺寸在名义上相同。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器器件，包括：
存储器叠层，其包括导电层和与所述导电层交错的电介质层；以及
沟道结构，其沿着垂直方向穿过所述存储器叠层延伸，所述沟道结构具有沿着横向方向突出并分别面向所述导电层的多个突出部分以及分别面向所述电介质层而不沿着所述横向方向突出的多个正常部分，所述沟道结构包括：
分别在所述突出部分中的多个阻挡结构；以及
分别在所述突出部分中并在所述多个阻挡结构之上的多个存储结构，
其中，所述阻挡结构中的每个阻挡结构的垂直尺寸与在所述阻挡结构之上的所述存储结构中的相应存储结构的垂直尺寸在名义上相同。


2.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述多个阻挡结构在所述沟道结构的所述正常部分中彼此分离。


3.根据权利要求1或2所述的3D存储器器件，其中，所述存储结构中的每个存储结构沿着所述垂直方向与相应对的所述电介质层接触。


4.根据权利要求1-3中的任一项所述的3D存储器器件，其中，所述存储结构中的每个存储结构的所述垂直尺寸与所述导电层中的相应导电层的垂直尺寸在名义上相同。


5.根据权利要求1-4中的任一项所述的3D存储器器件，其中，所述沟道结构还包括：连接在所述沟道结构的所述正常部分中的所述多个存储结构的多个保护结构。


6.根据权利要求1-5中的任一项所述的3D存储器器件，其中，所述阻挡结构包括氧化硅，并且所述存储结构包括氮化硅。


7.根据权利要求1-6中的任一项所述的3D存储器器件，其中，所述沟道结构还包括：在所述存储结构之上的隧穿层以及在所述隧穿层之上的半导体沟道。


8.一种三维(3D)存储器器件，包括：
存储器叠层，其包括导电层和与所述导电层交错的电介质层；以及
沟道结构，其沿着垂直方向穿过所述存储器叠层延伸，并且所述沟道结构包括：
彼此分离的多个阻挡结构；以及
分别在所述多个阻挡结构之上的多个存储结构，其中，所述存储结构中的每个存储结构在相应对的所述电介质层之间延伸，并与所述阻挡结构中的相应阻挡结构平行。


9.根据权利要求8所述的3D存储器器件，其中，所述存储结构中的每个存储结构沿着所述垂直方向与所述相应对的所述电介质层接触。


10.根据权利要求8或9所述的3D存储器器件，其中，所述阻挡结构中的每个阻挡结构的垂直尺寸与在所述阻挡结构之上的所述存储结构中的相应存储结构的垂直尺寸在名义上相同。


11.根据权利要求10所述的3D存储器器件，其中，所述存储结构中的每个存储结构的所述垂直尺寸与所述导电层中的相应导电层的垂直尺寸在名义上相同。


12.根据权利要求8-11中的任一项所述的3D存储器器件，其中，所述阻挡结构包括氧化硅，并且所述存储结构包括氮化硅。


13.根据权利要求8-12中的任一项所述的3D存储器器件，其中，所述沟道结构还包括：在所述存储结构之上的隧穿层以及在所述隧穿层之上的半导体沟道。


14.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，包括：
在衬底之上形成叠层结构，所述叠层结构包括第一层和与所述第一层交错的第二层；
形成沿着垂直方向穿过所述叠层结构延伸的开口；
移除所述第二层的面向所述开口的部分以...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿万波，薛磊，刘小欣，高庭庭，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42