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具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法技术
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下载具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法的技术资料
文档序号:28048907
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三维(3D)存储器器件包括存储器叠层和沿着垂直方向穿过存储器叠层延伸的沟道结构,存储器叠层包括导电层和与导电层交错的电介质层。沟道结构具有沿着横向方向突出并分别面向导电层的多个突出部分,以及分别面向电介质层而不沿着横向方向突出的多个正常部分...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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