半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本技术提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：沟道结构；多个绝缘结构，其围绕沟道结构并且层叠以彼此间隔开；多个层间绝缘膜，其分别围绕绝缘结构；以及栅电极，其从多个层间绝缘膜之间延伸到多个绝缘结构之间并且围绕沟道结构。绝缘结构可包括延伸以覆盖层间绝缘膜的面向沟道结构的边缘的突出部分，并且栅电极可在彼此相邻的多个突出部分之间延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本公开涉及半导体装置及其制造方法，更具体地，涉及一种三维半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体装置可包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器单元。存储器单元阵列可包括按照各种结构设置的存储器单元。为了改进半导体装置的集成度，已提出了包括三维布置的存储器单元的三维半导体装置。然而，三维半导体装置的可靠性可能由于各种原因而降低。
技术实现思路
根据本专利技术的实施方式的半导体装置可包括：沟道结构；多个绝缘结构，其围绕沟道结构并且层叠以彼此间隔开；多个层间绝缘膜，其分别围绕绝缘结构；以及栅电极，其从多个层间绝缘膜之间延伸到多个绝缘结构之间并围绕沟道结构。多个绝缘结构可包括延伸以覆盖层间绝缘膜的面向沟道结构的边缘的突出部分，并且栅电极可在彼此相邻的多个突出部分之间延伸。绝缘结构可包括面向层间绝缘膜的侧壁。多个层间绝缘膜可分别被插入到由绝缘结构的侧壁和突出部分限定的沟槽中。在实施方式中，绝缘结构可包括：第一材料图案，其设置在各个层间绝缘膜与沟道结构之间；以及第二材料图案，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：/n沟道结构；/n多个绝缘结构，多个所述绝缘结构围绕所述沟道结构并且层叠以彼此间隔开；/n多个层间绝缘膜，多个所述层间绝缘膜分别围绕所述绝缘结构；以及/n栅电极，该栅电极从多个所述层间绝缘膜之间延伸到多个所述绝缘结构之间并且围绕所述沟道结构，/n其中，多个所述绝缘结构包括突出部分，所述突出部分延伸以覆盖所述层间绝缘膜的面向所述沟道结构的边缘，并且/n其中，所述栅电极在彼此相邻的多个所述突出部分之间延伸。/n

【技术特征摘要】
20190611 KR 10-2019-00689021.一种半导体装置，该半导体装置包括：
沟道结构；
多个绝缘结构，多个所述绝缘结构围绕所述沟道结构并且层叠以彼此间隔开；
多个层间绝缘膜，多个所述层间绝缘膜分别围绕所述绝缘结构；以及
栅电极，该栅电极从多个所述层间绝缘膜之间延伸到多个所述绝缘结构之间并且围绕所述沟道结构，
其中，多个所述绝缘结构包括突出部分，所述突出部分延伸以覆盖所述层间绝缘膜的面向所述沟道结构的边缘，并且
其中，所述栅电极在彼此相邻的多个所述突出部分之间延伸。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构包括面向所述层间绝缘膜的侧壁，并且
其中，多个所述层间绝缘膜分别被插入到由所述绝缘结构的所述侧壁和所述突出部分限定的沟槽中。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构包括：
第一材料图案，该第一材料图案设置在各个所述层间绝缘膜与所述沟道结构之间；以及
第二材料图案，该第二材料图案覆盖所述层间绝缘膜的各个所述边缘并且由所述第一材料图案的氧化物配置。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一材料图案包括氮氧化硅SiON膜、氮化硅SiN膜和硅Si中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极包括形状与所述突出部分对应的凹陷部分。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘结构包括：
第一材料图案，该第一材料图案设置在各个所述层间绝缘膜与所述沟道结构之间；
第二材料图案，该第二材料图案覆盖所述层间绝缘膜的各个所述边缘；以及
空隙，该空隙设置在所述第一材料图案与所述第二材料图案之间。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
存储器膜，该存储器膜在所述绝缘结构与所述沟道结构之间以及所述栅电极与所述沟道结构之间延伸以围绕所述沟道结构的侧壁，
其中，所述存储器膜包括在所述沟道结构的所述侧壁上层叠的隧道绝缘膜、数据存储膜和阻挡绝缘膜。


8.一种半导体装置，该半导体装置包括：
沟道结构；
存储器膜，该存储器膜包括围绕所述沟道结构的侧壁的隧道绝缘膜、围绕所述隧道绝缘膜的侧壁的数据存储膜以及围绕所述数据存储膜的侧壁的阻挡绝缘膜；
多个第一材料图案，多个所述第一材料图案围绕所述存储器膜并且层叠以彼此间隔开；
多个层间绝缘膜，多个所述层间绝缘膜分别围绕所述第一材料图案；
栅电极，该栅电极从彼此相邻的多个所述层间绝缘膜之间延伸到彼此相邻的多个所述第一材料图案之间；以及
第二材料图案，所述第二材料图案设置在所述第一材料图案与所述栅电极之间。


9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一材料图案包括氮氧化硅SiON膜、氮化硅SiN膜和硅Si中的至少一种。


10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二材料图案由所述第一材料图案的氧化物配置。


11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二材料图案包括突出部分，所述突出部分在所述栅电极与所述层间绝缘膜之间延伸以覆盖所述层间绝缘膜的面向所述沟道结构的边缘。


12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述突出部分从所述存储器膜的上部延伸到所述层间绝缘膜与所述栅电极之间。


13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述栅电极包括形状与所述突出部分对应的凹陷部分。


14.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二材料图案包括多孔绝缘材料。


15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述多孔绝缘材料在各个所述层间绝缘膜与所述存储器膜之间延伸。


16.根据权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文植，崔吉福，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR