有源矩阵基板以及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种有源矩阵基板以及其制造方法。有源矩阵基板包括：基板；多个下部总线以及多个上部总线；下部绝缘层，位于多个下部总线与多个上部总线之间；氧化物半导体TFT，是配置在各像素区域的氧化物半导体TFT，包含配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；像素电极，配置在各像素区域；多个配线连接部，配置在非显示区域。各配线连接部包含：下部导电层，使用与多个下部总线相同的导电膜而形成；绝缘层，是在下部导电层上延伸设置的，包含下部绝缘层的绝缘层，包含露出下部导电层的一部分的第一开口部；其他导电层，在第一开口部内连接在下部导电层。多个下部总线以及下部导电层包含：包含金属层、和覆盖金属层的上面以及侧面的透明导电层。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板以及其制造方法技术区域本专利技术涉及一种有源矩阵基板以及其制造方法。
技术介绍
包括在每个像素设置开关元件的有源矩阵基板的显示装置被广泛使用。作为开关元件而包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，以下称为“TFT”)的有源矩阵基板被称为TFT基板。此外，在本说明书中，将与显示装置的像素对应的TFT基板的部分称为像素区域或像素。另外，将在有源矩阵基板的各像素作为开关元件被设置的TFT称为“像素”。多个源极总线以及多个栅极总线设置在TFT基板，像素TFT配置在这些的相交部附近。像素TFT的源极电极连接在源极总线的一个，栅极电极连接在栅极总线中的一个。因此，通常源极电极形成在与源极总线相同的金属层(源极金属层)内，栅极电极形成在与源极总线相同的金属层(栅极金属层)内。在TFT基板，设置有用以将形成在源极金属层内或栅极金属层内的配线连接在其他配线(或切换)的配线连接部。配线连接部例如包含端子部、连接源极金属层与栅极金属层的源极-栅极连接部等。近年，作为TFT的活性层的材料，代替非晶硅与多晶硅，有提案使用氧化物半导体。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，其特征在于，包含：包含多个像素区域的显示区域、以及所述显示区域以外的非显示区域；包括：/n基板；/n多个下部总线以及多个上部总线，是被支撑在所述基板的主面的多个下部总线以及多个上部总线，所述多个下部总线位于比所述多个上部总线更靠所述基板侧，所述多个下部总线以及所述多个上部总线的一方是多个源极总线，另一方是多个栅极总线；/n下部绝缘层，位于所述多个下部总线与所述多个上部总线之间；/n氧化物半导体TFT，是配置在所述多个像素区域的各个的氧化物半导体TFT，包含：配置在所述下部绝缘层上的氧化物半导体、与所述多个栅极总线的一个电连接的栅极电极、位于所述氧化物半导体层与所述栅极电极...

【技术特征摘要】
20190524 US 62/8526581.一种有源矩阵基板，其特征在于，包含：包含多个像素区域的显示区域、以及所述显示区域以外的非显示区域；包括：
基板；
多个下部总线以及多个上部总线，是被支撑在所述基板的主面的多个下部总线以及多个上部总线，所述多个下部总线位于比所述多个上部总线更靠所述基板侧，所述多个下部总线以及所述多个上部总线的一方是多个源极总线，另一方是多个栅极总线；
下部绝缘层，位于所述多个下部总线与所述多个上部总线之间；
氧化物半导体TFT，是配置在所述多个像素区域的各个的氧化物半导体TFT，包含：配置在所述下部绝缘层上的氧化物半导体、与所述多个栅极总线的一个电连接的栅极电极、位于所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间的栅极绝缘层、与所述多个源极总线的一个电连接的源极电极；
像素电极，配置在所述多个像素区域的各个；以及
多个配线连接部，配置在所述非显示区域；其中
所述氧化物半导体层包含：沟道区域、与分别位于所述沟道区域的两侧的第一区域以及第二区域；所述第一区域与所述源极电极电连接，所述第二区域与所述像素电极电连接；所述多个配线连接部的各个，包含：
下部导电层，使用与所述多个下部总线相同的导电膜而形成；
绝缘层，是在所述下部导电层上延伸设置的，包含所述下部绝缘层的绝缘层，包含露出所述下部导电层的一部分的第一开口部；以及
在所述每个配线连接部中除了所述下部导电层外的其他导电层，在所述第一开口部内连接在所述下部导电层；
所述多个下部总线以及所述下部导电层包含第一层叠结构，所述第一层叠结构包含：金属层、覆盖所述金属层的上面以及侧面的透明导电层。


2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述其他导电层在所述第一开口部内，与所述下部导电层的所述透明导电层直接接触。


3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述下部导电层的所述透明导电层，在所述第一开口部内包含仅露出所述金属层的所述上面的一部分的开口部；
所述其他导电层在所述第一开口部内，与所述金属层的所述上面之中，在所述透明导电层的所述开口部露出的部分直接相接。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述多个下部总线是所述多个源极总线，所述多个上部总线是所述多个栅极总线；
所述氧化物半导体TFT的所述栅极电极在所述氧化物半导体层上经由所述栅极绝缘层而配置。


5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述源极电极是所述一个源极总线的一部分，或与所述一个源极总线连接；
所述源极电极包含所述第一层叠结构；
所述氧化物半导体层形成在所述下部绝缘层上以及形成在所述下部绝缘层的源极用开口部内，并且在所述源极用开口部内与所述源极电极的所述透明导电层相接。


6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，其特征在于，还包括：覆盖所述氧化物半导体层以及所述栅极电极的层间绝缘层；
所述氧化物半导体TFT还包含漏极电极；
所述漏极电极配置在所述层间绝缘层上以及形成在所述层间绝缘层的漏极用开口部内，在所述漏极用开口部内连接在所述氧化物半导体层的所述第二区域；
所述像素电极经由所述漏极电极而与所述氧化物半导体TFT电连接；
所述多个配线连接部的各个中，所述第一开口部，在包含所述下部绝缘层以及所述层间绝缘层的所述绝缘层形成。


7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于，在所述第一开口部内，所述下部绝缘层的侧面与所述层间绝缘层的侧面匹配。


8.根据权利要求6或7所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述其他导电层是由与所述漏极电极相同的导电膜形成的连接部；
所述多个配线连接部的各个还包含：配置在所述其他导电层上的上部导电层。


9.根据权利要求6或7所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述多个配线连接部的各个中的所述其他导电层是由与所述像素电极相同的透明导电膜形成的上部导电层；
所述多个配线连接部的各个中，所述上部导电层在所述第一开口部内与所述下部导电层直接相接。


10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，其特征在于，还包括：
上部绝缘层，覆盖所述氧化物半导体TFT；
共用电极，配置在所述上部绝缘层上；以及
电介质层，位于所述共用电极与所述像素电极之间；
所述多个配线连接部的各个中，所述第一开口部，形成在包含所述下部绝缘层、所述层间绝缘层、所述上部绝缘层以及所述电介质层的所述绝缘层，所述第一开口部内的，所述下部绝缘层的侧面、所述层间绝缘层的侧面、所述上部绝缘层的侧面以及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：北川英树，原义仁，前田昌纪，平田义晴，川崎达也，上田辉幸，今井元，大东彻，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP