有源矩阵基板及其制造方法技术

一种有源矩阵基板，具备：基板；多个氧化物半导体TFT；多个栅极总线；多个源极总线；至少1个干配线，其设置于非显示区域，传递信号；及多个其它配线，其分别以与干配线至少部分重叠的方式配置。有源矩阵基板在基板上具有第1金属层、配置在第1金属层的上方的第2金属层及配置在第2金属层的上方的第3金属层。第1、第2及第3金属层中的任意一层包含源极总线，其它任意一层包含栅极总线。干配线形成于第1、第2及第3金属层中的2个金属层。其它配线形成于另1个金属层。干配线具有包含形成于2个金属层中的一方的下部配线和形成于2个金属层中的另一方且隔着绝缘层配置在下部配线上的上部配线的多层结构，下部配线与上部配线是电连接的。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板及其制造方法
本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法。
技术介绍
显示装置所使用的有源矩阵基板包含：显示区域，其包含多个像素区域；以及显示区域以外的非显示区域(也称为“边框区域”或“周边区域”。)。像素区域是与显示装置的像素对应的区域。在各像素区域中配置有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：以下称为“TFT”)作为开关元件。将配置于各像素区域的TFT称为“像素TFT”。在TFT基板中设置有多个源极总线和多个栅极总线，在它们的交叉部附近配置有像素TFT。像素TFT的源极电极连接到源极总线中的1个源极总线，栅极电极连接到栅极总线中的1个栅极总线。因此，通常地，源极电极与源极总线使用相同导电膜(源极用导电膜)形成，栅极电极与栅极总线使用相同导电膜(栅极用导电膜)形成。在本说明书中，将包含使用源极用导电膜形成的电极/配线的层称为“源极金属层”，将包含使用栅极用导电膜形成的电极/配线的层称为“栅极金属层”。有时在TFT基板的非显示区域单片(一体)地形成有栅极驱动器电路等周边电路。例如，专利文献1公开了具备单片地形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，/n具有包含多个像素区域的显示区域和上述显示区域以外的非显示区域，/n并具备：/n基板；/n多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，并且分别与上述多个像素区域对应地配置；/n多个栅极总线，其向上述多个氧化物半导体TFT供应栅极信号；/n多个源极总线，其向上述多个氧化物半导体TFT供应源极信号；/n至少1个干配线，其设置于上述非显示区域，传递信号；以及/n多个其它配线，其分别以在从上述基板的法线方向观看时与上述至少1个干配线至少部分地重叠的方式配置，/n上述有源矩阵基板的特征在于，/n上述有源矩阵基板具有：/n第1金属层，其在上述基板上包含由第1导电膜形成的电极和/或配线...

【技术特征摘要】
20190606 US 62/857,8471.一种有源矩阵基板，
具有包含多个像素区域的显示区域和上述显示区域以外的非显示区域，
并具备：
基板；
多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，并且分别与上述多个像素区域对应地配置；
多个栅极总线，其向上述多个氧化物半导体TFT供应栅极信号；
多个源极总线，其向上述多个氧化物半导体TFT供应源极信号；
至少1个干配线，其设置于上述非显示区域，传递信号；以及
多个其它配线，其分别以在从上述基板的法线方向观看时与上述至少1个干配线至少部分地重叠的方式配置，
上述有源矩阵基板的特征在于，
上述有源矩阵基板具有：
第1金属层，其在上述基板上包含由第1导电膜形成的电极和/或配线；
第2金属层，其隔着绝缘层配置在上述第1金属层的上方，并且包含由第2导电膜形成的电极和/或配线；以及
第3金属层，其隔着绝缘层配置在上述第2金属层的上方，并且包含由第3导电膜形成的电极和/或配线，
上述第1金属层、上述第2金属层以及上述第3金属层中的任意一个金属层包含上述多个源极总线，其它任意一个金属层包含上述多个栅极总线，
上述至少1个干配线形成于上述第1金属层、上述第2金属层以及上述第3金属层中的2个金属层，上述多个其它配线形成于另1个金属层，
上述至少1个干配线具有包含下部配线和上部配线的多层结构，上述下部配线形成于上述2个金属层中的一个金属层，上述上部配线形成于上述2个金属层中的另一个金属层，并且隔着绝缘层配置在上述下部配线上，上述下部配线与上述上部配线是电连接的。


2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述多个氧化物半导体TFT中的每个氧化物半导体TFT包含：氧化物半导体层；以及栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上，
上述第1金属层位于比上述氧化物半导体层靠上述基板侧的位置，
上述第2金属层包含上述栅极电极和上述多个栅极总线。


3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，
上述第1金属层包含上述多个氧化物半导体TFT的源极电极和上述多个源极总线，
上述第3金属层包含上述多个氧化物半导体TFT的漏极电极。


4.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，
上述第1金属层包含上述多个氧化物半导体TFT的遮光层，
上述第3金属层包含上述多个氧化物半导体TFT的漏极电极和源极电极以及上述多个源极总线。


5.根据权利要求3或4所述的有源矩阵基板，
上述多个其它配线是从上述至少1个干配线被输入上述信号的多个分支配线，
还具备将各分支配线和上述至少1个干配线电连接的干配线连接部，
上述干配线连接部配置于在从上述基板的法线方向观看时上述各分支配线与上述至少1个干配线至少部分地重叠的区域。


6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，
还具备栅极驱动器，上述栅极驱动器配置在上述非显示区域，包含具有多个级的移位寄存器，
上述至少1个干配线是传递向上述栅极驱动器输入的上述信号的至少1个栅极驱动器信号干配线，
上述信号从上述至少1个栅极驱动器信号干配线经由上述多个分支配线输入到上述移位寄存器的上述多个级。


7.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，
上述至少1个干配线的上述下部配线形成于上述第2金属层，上述上部配线形成于上述第3金属层，
上述多个分支配线形成于上述第1金属层。


8.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，
上述至少1个干配线的上述下部配线形成于上述第1金属层，上述上部配线形成于上述第2金属层，
上述多个分支配线形成于上述第3金属层。


9.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，
上述至少1个干配线的上述下部配线形成于上述第1金属层，上述上部配线形成于上述第3金属层，
上述多个分支配线形成于上述第2金属层。


10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，
上述至少1个干配线包含第1干配线和第2干配线，
上述多个分支配线包含第1分支配线，上述第1分支配线电连接到上述第1干配线，并且与上述第2干配线是电分离的，
在从上述基板的法线方向观看时，上述第1分支配线横穿上述第2干配线且延伸到上述第1干配线，
在上述第2干配线与上述第1分支配线的交叉部中，上述第2干配线的上述上部配线或上述下部配线具有切口部。


11.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，
上述多个氧化物半导体TFT中的每个氧化物半导体TFT包含：氧化物半导体层；以及栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上；
上述第1金属层位于比上述氧化物半导体层靠基板侧的位置，
上述第2金属层包含上述栅极电极和上述多个栅极总线，
在上述干配线连接部中，上述上部配线、上述下部配线以及上述各分支配线中的形成于上述第1金属层的配线包含第1连接层，形成于上述第2金属层的配线包含第2连接层，形成于上述第3金属层的配线包含第3连接层，
上述干配线连接部具备：
上述第1连接层；
下部绝缘层，其在上述第1连接层上延伸设置，并且具有使上述第1连接层的一部分露出的第1开口部；
上述第2连接层，其配置在上述下部绝缘层上和上述第1开口部内，在上述第1开口部内，隔着上述栅极绝缘层配置在上述第1连接层的露出部分中的第1部分上；
层间绝缘层，其在上述第2连接层和上述下部绝缘层上延伸设置，并且具有使上述第2连接层的一部分和上述第1连接层的上述露出部分中的未被上述栅极绝缘层覆盖的第2部分露出的第2开口部；以及
上述第3连接层，其配置在上述层间绝缘层上，在上述第2开口部内与上述第2连接层的上述一部分和上述第1连接层的上述第2部分接触。


12.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，
上述多个氧化物半导体TFT中的每个氧化物半导体TFT包含：氧化物半导体层；以及栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上，
上述第1金属层位于比上述氧化物半导体层靠基板侧的位置，
上述第2金属层包含上述栅极电极和上述多个栅极总线，
在上述干配线连接部中，上述上部配线、上述下部配线以及上述各分支配线中的形成于上述第1金属层的配线包含第1连接层，形成于上述第2金属层的配线包含第2连接层，形成于上述第3金属层的配线包含第3连接层，
上述干配线连接部具备：
上述第1连接层；
下部绝缘层，其在上述第1连接层上延伸设置；
上述第2连接层，其隔着上述栅极绝缘层配置在上述下部绝缘层上，在从上述基板的法线方向观看时，上述第2连接层是与上述第1连接层的第1部分重叠的；
层间绝缘层，其在上述第2连接层和上述下部绝缘层上延伸设置；以及
上述第3连接层，其配置在上述层间绝缘层上以及形成于上述层间绝缘层和上述下部绝缘层的接触孔内，上述接触孔包含形成于上述下部绝缘层的第1开口部和形成于上述层间绝缘层的第2开口部，上述第3连接层在上述接触孔内与上述第2连接层的一部分、以及上述第1连接层中的与上述第2连接层不重叠的第2部分接触，在从上述基板的法线方向观看时，上述第1开口部的侧面的一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池哲郎，大东彻，今井元，铃木正彦，西宫节治，原健吾，山中昌光，高畑仁志，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP