非挥发性存储器结构制造技术

本发明专利技术公开一种非挥发性存储器结构，其包括基底与多个存储单元。存储单元堆叠设置在基底上。每个存储单元包括栅极结构与电荷捕捉层。电荷捕捉层位于栅极结构的一侧。相邻两个存储单元中的相邻两个电荷捕捉层实体上彼此分离。

【技术实现步骤摘要】
非挥发性存储器结构
本专利技术涉及一种存储器结构，且特别是涉及一种非挥发性存储器结构。
技术介绍
由于非挥发性存储器(non-volatilememory)可进行多次数据的存入、读取与抹除等操作，且具有当电源供应中断时，所存储的数据不会消失、数据存取时间短以及低消耗功率等优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器。然而，对于非挥发性存储器而言，数据保存能力为其重要特性，因此如何提升非挥发性存储器元件的数据保存能力(dataretentioncapacity)为目前持续努力的方向。
技术实现思路
本专利技术提供一种非挥发性存储器结构，其可具有较佳的数据保存能力。本专利技术提出一种非挥发性存储器结构，包括基底与多个存储单元。存储单元堆叠设置在基底上。每个存储单元包括栅极结构与电荷捕捉层。电荷捕捉层位于栅极结构的一侧。相邻两个存储单元中的相邻两个电荷捕捉层实体上彼此分离。依照本专利技术的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，存储单元可在远离基底的方向上依序堆叠排列。<br>依照本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非挥发性存储器结构，其特征在于，包括/n基底；以及/n多个存储单元，堆叠设置在所述基底上，其中每个存储单元包括：/n栅极结构；以及/n电荷捕捉层，位于所述栅极结构的一侧，其中相邻两个存储单元中的相邻两个电荷捕捉层实体上彼此分离。/n

【技术特征摘要】
20190515 TW 1081167561.一种非挥发性存储器结构，其特征在于，包括
基底；以及
多个存储单元，堆叠设置在所述基底上，其中每个存储单元包括：
栅极结构；以及
电荷捕捉层，位于所述栅极结构的一侧，其中相邻两个存储单元中的相邻两个电荷捕捉层实体上彼此分离。


2.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述多个存储单元在远离所述基底的方向上依序堆叠排列。


3.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述电荷捕捉层的材料包括氮化硅。


4.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中每个存储单元还包括：
第一介电层，位于所述电荷捕捉层与所述栅极结构之间。


5.如权利要求4所述的非挥发性存储器结构，其中每个存储单元还包括：
第二介电层，位于所述电荷捕捉层的远离所述栅极结构的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子嵩，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71