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本技术提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：沟道结构；多个绝缘结构，其围绕沟道结构并且层叠以彼此间隔开；多个层间绝缘膜，其分别围绕绝缘结构；以及栅电极，其从多个层间绝缘膜之间延伸到多个绝缘结构之间并且围绕沟道结构。绝缘结构可包...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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