形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法。形成源/漏接触的方法：刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔底部为所述源极裸露的表面，所述漏极接触孔底部为所述漏极裸露的表面；在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内选择性外延生长高掺杂的Si

【技术实现步骤摘要】
形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法
本专利技术涉及半导体生产工艺领域，特别涉及形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法。
技术介绍
在场效应晶体管中，源漏极的接触电阻大小对器件特性非常重要，现有技术追求高浓度掺杂以降低接触电阻，然而由于受到平衡固溶度的影响，掺杂存在饱和点，因此过高浓度掺杂对降低电阻无益，然而造成掺杂剂的浪费。为此，提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种形成源漏接触的方法，该方法能有效降低源漏接触电阻。为了实现以上目的，本专利技术提供了以下技术方案。形成源/漏接触的方法，包括：在半导体衬底上形成源极、漏极和栅极；在所述源极的表面和漏极的表面形成介质层；在所述介质层中刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔底部为所述源极裸露的表面，所述漏极接触孔底部为所述漏极裸露的表面；在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内选择性外延生长掺杂的SixGe1-x层，所述掺杂类型与源极、漏极的掺杂类型相同，0≤x≤1；在所述源极和所述漏极裸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.形成源/漏接触的方法，其特征在于，包括：/n在半导体衬底上形成源极、漏极和栅极；/n在所述源极的表面和漏极的表面形成介质层；/n在所述介质层中刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔底部为所述源极裸露的表面，所述漏极接触孔底部为所述漏极裸露的表面；/n在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内选择性外延生长掺杂的Si

【技术特征摘要】
1.形成源/漏接触的方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成源极、漏极和栅极；
在所述源极的表面和漏极的表面形成介质层；
在所述介质层中刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔底部为所述源极裸露的表面，所述漏极接触孔底部为所述漏极裸露的表面；
在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内选择性外延生长掺杂的SixGe1-x层，所述SixGe1-x层的掺杂类型与源极、漏极的掺杂类型相同，0≤x≤1；
在所述源极和所述漏极裸露的表面形成激光吸收层，其余结构表面形成激光反射层；
对所述激光吸收层覆盖的区域进行激光退火，发生熔融；
去除所述激光吸收层和所述激光反射层；
之后在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内分别沉积金属，形成源极接触和漏极接触。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SixGe1-x层为多层锗含量不同的SixGe1-x薄膜堆叠而成，并且随着离所述源极和所述漏极的距离增加，Ge的含量降低。


3.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金彪，罗军，李俊峰，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11