IO器件栅氧制造方法、终端和存储介质技术

本发明专利技术公开了一种IO器件栅氧制造方法，包括：提供一硅衬底；在硅衬底上形成氧化硅层，在氧化硅层上形成氮化硅层，然后刻蚀形成浅沟槽，并填充氧化硅；表面平坦化；对有源区边缘进行氧化；刻蚀去除氮化硅；刻蚀去除硅衬底上的氧化硅层；生长栅氧。本发明专利技术通过多次氧化能够避免由于有源区表面和侧面进氧量差异，导致有源区边角出现上翘尖角，边缘栅氧变薄现象，能提高器件的可靠性，利于提高产品的良品率。

【技术实现步骤摘要】
IO器件栅氧制造方法、终端和存储介质
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种IO器件栅氧制造方法、终端和存储介质。
技术介绍
随着芯片应用场景的不断拓展，关键尺寸(CD，CriticalDimension)不断缩小，栅氧化的厚度的精确控制变得比过去更加重要，芯片上IO器件的需求也在不断变化。如在55nm逻辑平台上，除了传统的2.5V，3.3V的IO器件，还会用到5V，6V等中电压的IO器件,甚至大于6V的高电压IO器件。随着IO器件应用电压的升高，器件栅氧也会随之增厚。当栅氧厚度越来越厚，使用常规方法炉管生长栅氧后，由于有源区表面和侧面进氧量差异，导致有源区边角出现上翘尖角，边缘栅氧变薄现象，如图1所示，对于器件后续的可靠性有极大失效风险，不利于提高产品的良品率。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IO器件栅氧制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，提供一硅衬底；/nS2，在硅衬底上形成氧化硅层，在氧化硅层上形成氮化硅层，然后刻蚀形成浅沟槽，并填充氧化硅；/nS3，表面平坦化；/nS4，对有源区边缘进行氧化；/nS5，刻蚀去除氮化硅；/nS6，刻蚀去除硅衬底上的氧化硅层；/nS7，生长栅氧。/n

【技术特征摘要】
1.一种IO器件栅氧制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，提供一硅衬底；
S2，在硅衬底上形成氧化硅层，在氧化硅层上形成氮化硅层，然后刻蚀形成浅沟槽，并填充氧化硅；
S3，表面平坦化；
S4，对有源区边缘进行氧化；
S5，刻蚀去除氮化硅；
S6，刻蚀去除硅衬底上的氧化硅层；
S7，生长栅氧。


2.如权利要求1所述的IO器件栅氧制造方法，其特征在于：步骤S3中，通过CMP工艺进行平坦化。


3.如权利要求1所述的IO器件栅氧制造方法，其特征在于：步骤S5中，通过湿法刻蚀去除氮化硅。


4.如权利要求1所述的IO器件栅氧制造方法，其特征在于：步骤S6中，通过湿法刻蚀去除硅衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：周年云，顾嘉威，刘俊文，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32