半导体器件的栅氧形成方法技术

本申请公开了一种半导体器件的栅氧形成方法，涉及半导体制造领域。该半导体器件的栅氧形成方法包括提供衬底，衬底用于制作嵌入式闪存器件；在衬底的存储区域制作存储器件；去除衬底的逻辑电路区域上残留的存储器件膜层；将若干片衬底装入炉管中，通过热生长工艺在衬底上形成栅氧化层；其中，在存储区域制作存储器件时，采用CVD工艺淀积氮化硅；解决了目前在形成栅氧化层时，炉管中随炉控片下方和背面有氮化硅的衬底下方形成的栅氧化层厚度不一致的问题；达到了保证炉管中衬底上形成的栅氧化层的厚度一致的效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的栅氧形成方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体器件的栅氧形成方法。
技术介绍
氧化层具有高质量、稳定等特点，可以用来做介质材料。对于MOS器件来说，栅氧化层是影响器件性能的主要因素。在嵌入式闪存器件的制作过程中，一般先在存储区域制作存储器件，然后在外围电路制作逻辑器件。在外围电路制造逻辑器件时，需要形成栅氧化层。目前，栅氧化层一般通过热生长的方法形成，比如，将需要形成栅氧化层的多片硅片装入立式热炉管中，将炉温升至预定稳定，并通入反应气体，在硅片上生长预定厚度的栅氧化层。然而，在嵌入式闪存的存储器件在制作过程中，如图1所示，硅片11的背面也会形成氮化硅13，当硅片11放入热炉管中进行栅氧化层的生长时，硅片11背面的氮化硅13会对下方硅片产生热辐射。由于热炉管中还会放置随炉控片10，随炉控片10的背面没有氮化硅，导致同一热炉管中，随炉控片10下方的硅片上形成的栅氧化层比硅片11下方的硅片上形成的栅氧化层的厚度大。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种半导体器件的栅氧形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的栅氧形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供衬底，所述衬底用于制作嵌入式闪存器件；/n在所述衬底的存储区域制作存储器件；/n去除所述衬底的逻辑电路区域上残留的存储器件膜层；/n将若干片所述衬底装入炉管中，通过热生长工艺在所述衬底上形成栅氧化层；/n其中，在所述存储区域制作存储器件时，采用CVD工艺淀积氮化硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的栅氧形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底，所述衬底用于制作嵌入式闪存器件；
在所述衬底的存储区域制作存储器件；
去除所述衬底的逻辑电路区域上残留的存储器件膜层；
将若干片所述衬底装入炉管中，通过热生长工艺在所述衬底上形成栅氧化层；
其中，在所述存储区域制作存储器件时，采用CVD工艺淀积氮化硅。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述炉管为立式...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家瑞，徐杰，李小康，吴志涛，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32