一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件技术

技术编号:27980340 阅读:25 留言:0更新日期:2021-04-06 14:15
本发明专利技术涉及一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法,包括成型导体/半导体层、沉积电介质层,在电介质层上形成第一光刻胶层、第二光刻胶层,第一光刻胶层的光敏性高于第二光刻胶层,蚀刻形成栅极沟道开口,调整第二光刻胶层的厚度、开口形状,沉积金属导体,剥离第一光刻胶层、第二光刻胶层以及位于第二光刻胶层上的金属导体。一种器件,其包括由T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法形成的栅极结构。本发明专利技术方法形成的栅极导体在电介质上悬垂/延伸,实现了最终栅极导体相对于电介质开口的自对准,降低了栅极电阻(Rg)的同时也降低了寄生电容(Cgs/Cgd)。

【技术实现步骤摘要】
一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件
本专利技术涉及功率器件领域,特别是涉及一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法及器件。
技术介绍
在RF功率放大器设备中,重要的是优化栅极结构,以通过降低的栅极电阻(Rg)和栅极至源极/漏极的寄生电容(Cgs/Cgd)来最大化功率增益(fmax)和电流增益(ft)。典型的原理示意如图1所示:具有T形金属栅极的典型常规RF器件结构,用于降低栅极电阻(Rg),但增加寄生电容(Cgs/Cgd)。为了降低栅极电阻(Rg),通常使用金属栅极。使用两步工艺将传统的“I形”金属栅极替换为“T形”金属栅极,从而在第一个干法刻蚀步骤和随后的第二个金属干法刻蚀步骤中形成栅极沟道开口。如图2-1至2-5所示,使用传统的两步T-栅极工艺,同时成型具有栅极开口和栅极金属的常规“T-栅极”结构:步骤1:形成导体/半导体层,例如硅晶片,在导体/半导体层上沉积电介质层,例如SiO2或SiN,步骤2:使用正性光刻胶,通过标准光刻在光刻胶上形成图案,并蚀刻掉该部分的电介质,步骤3:剥离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法,其特征在于:包括以下步骤:/n步骤1:/n(1)、成型导体/半导体层,/n(2)、沉积电介质层,/n步骤2:/n(1)、使用双层光刻胶:在电介质层上形成第一光刻胶层,在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层,其中:第一光刻胶层的光敏性高于第二光刻胶层,/n(2)、通过光刻在第一光刻胶层、第二光刻胶层上形成图案,并蚀刻掉该部分的电介质,并且第一光刻胶层蚀刻的开口宽度大于第二光刻胶层蚀刻的开口宽度,第二光刻胶层的开口向两侧倾斜,/n步骤3:调整第二光刻胶层的厚度、开口形状,使第二光刻胶层的开口向中间倾斜,/n步骤4:沉积金属导体,金属导体向两侧倾斜覆盖部分...

【技术特征摘要】
1.一种T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1:
(1)、成型导体/半导体层,
(2)、沉积电介质层,
步骤2:
(1)、使用双层光刻胶:在电介质层上形成第一光刻胶层,在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层,其中:第一光刻胶层的光敏性高于第二光刻胶层,
(2)、通过光刻在第一光刻胶层、第二光刻胶层上形成图案,并蚀刻掉该部分的电介质,并且第一光刻胶层蚀刻的开口宽度大于第二光刻胶层蚀刻的开口宽度,第二光刻胶层的开口向两侧倾斜,
步骤3:调整第二光刻胶层的厚度、开口形状,使第二光刻胶层的开口向中间倾斜,
步骤4:沉积金属导体,金属导体向两侧倾斜覆盖部分电介质层,且覆盖两侧电介质层的宽度相等,
步骤5:剥离第一光刻胶层、第二光刻胶层以及位于第二光刻胶层上的金属导体。


2.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法,其特征在于:在步骤2中:通过控制曝光条件,调节第一光刻胶层、第二光刻胶层蚀刻的开口宽度、开口形状。


3.根据权利要求1所述的T形栅极金属下部栅极沟道开口的自对准方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:李亦衡黄克强刘晓鹏沈峰王强朱廷刚
申请(专利权)人:江苏能华微电子科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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