半导体结构的制作方法及半导体结构技术

本申请涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构；其中，半导体结构的制作方法，包括步骤：提供衬底，衬底上形成有芯模和开口，以及覆盖芯模表面的侧壁层，开口形成于芯模内；于开口中填充掩模材料；去除芯模顶部的侧壁层和开口中部分的掩模材料，使得剩余的掩模材料的顶部低于芯模的顶部；去除芯模侧壁的部分侧壁层，形成栅栏侧壁层，栅栏侧壁层位于芯模的侧壁上。本申请可以有效的控制图案的形貌，起到提高产品性能的作用。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构
本申请涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)是一种广泛应用多计算机系统的半导体存储器。随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，DRAM的关键尺寸也越来越小，难度也越来越大，并且易失性存储器被广泛应用于个人电脑及消费性电子产品中，市场需求比较大；随着DRAM制程技术来到20nm左右，自对准双重成像技术能增加半导体制程的工艺集成度，在缩小元件尺寸方面优势显得格外明显。但在实现过程中，如何进一步提高工艺制程能力，成为制约产品性能发展的瓶颈。
技术实现思路
基于此，有必要针对目前需要提高工艺制程能力的技术问题，提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。为了实现上述目的，一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体结构的制作方法，包括步骤：提供衬底，衬底上形成有芯模和开口，以及覆盖芯模表面的侧壁层，开口形成于芯模内；于开口中填充掩模材料；去除芯模顶部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有芯模和开口，以及覆盖所述芯模表面的侧壁层，所述开口形成于所述芯模内；/n于所述开口中填充掩模材料；/n去除所述芯模顶部的侧壁层和所述开口中部分的掩模材料，使得剩余的所述掩模材料的顶部低于所述芯模的顶部；/n去除所述芯模侧壁的部分侧壁层，形成栅栏侧壁层，所述栅栏侧壁层位于所述芯模的侧壁上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有芯模和开口，以及覆盖所述芯模表面的侧壁层，所述开口形成于所述芯模内；
于所述开口中填充掩模材料；
去除所述芯模顶部的侧壁层和所述开口中部分的掩模材料，使得剩余的所述掩模材料的顶部低于所述芯模的顶部；
去除所述芯模侧壁的部分侧壁层，形成栅栏侧壁层，所述栅栏侧壁层位于所述芯模的侧壁上。


2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：
所述芯模包括多个子芯模层，所述开口的底部位于第一子芯模层内部，所述第一子芯模层位于所述衬底表面。


3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：
所述栅栏侧壁层的截面呈梯形或三角形。


4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：
所述栅栏侧壁层的顶部高于所述剩余的所述掩模材料的顶部。


5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述掩模材料与所述芯模的材质相同。


6.一种半导体结构的制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆天蕾，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34