温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构；其中，半导体结构的制作方法，包括步骤：提供衬底，衬底上形成有芯模和开口，以及覆盖芯模表面的侧壁层，开口形成于芯模内；于开口中填充掩模材料；去除芯模顶部的侧壁层和开口中部分的掩模材料，使得剩余的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。