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本申请公开了一种半导体器件的栅氧形成方法，涉及半导体制造领域。该半导体器件的栅氧形成方法包括提供衬底，衬底用于制作嵌入式闪存器件；在衬底的存储区域制作存储器件；去除衬底的逻辑电路区域上残留的存储器件膜层；将若干片衬底装入炉管中，通过热生长工...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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