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本发明公开了一种IO器件栅氧制造方法，包括：提供一硅衬底；在硅衬底上形成氧化硅层，在氧化硅层上形成氮化硅层，然后刻蚀形成浅沟槽，并填充氧化硅；表面平坦化；对有源区边缘进行氧化；刻蚀去除氮化硅；刻蚀去除硅衬底上的氧化硅层；生长栅氧。本发明通过...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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