一种超薄基板结构的制造方法技术

技术编号:27940758 阅读:65 留言:0更新日期:2021-04-02 14:22
本发明专利技术提供了一种超薄基板结构的制造方法,包括如下步骤:(a)准备承载板,在所述承载板的表面形成第一阻焊层,并在所述第一阻焊层内形成第一阻焊开窗;(b)在所述第一阻焊层上形成第一金属种子层,在所述第一金属种子层上形成第一布线层、在所述第一布线层上的第一通孔柱层、覆盖所述第一布线层和所述第一通孔柱层的第一介电层和在所述第一介电层上的第二布线层,其中所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一通孔柱层导通连接;(c)在所述第二布线层上形成第二阻焊层,并在所述第二阻焊层内形成第二阻焊开窗;(d)移除所述承载板。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄基板结构的制造方法
本专利技术涉及制造超薄基板结构的方法。
技术介绍
随着对封装尺寸要求的越来越高,作为封装一个重要组成部分的封装基板,其厚度的要求也越来越高。超薄基板就是减小基板厚度的一种方法。超薄基板很薄(两层板通常低至60um,甚至更低),在加工过程中加工不方便,与常规基板加工工艺在很多方面不能兼容,加工过程中极易损坏,以及在基板制作完毕后,后工序再加工作业时支撑强度不够。中国专利公报CN106409688A公开了一种超薄无芯封装基板的加工方法,具体实施如下:首先准备承载板,承载板包括复合铜箔层,复合铜箔可分离超薄铜箔层,然后在超薄铜箔层上制作第一线路层,然后在第一线路层上压合绝缘层和外层铜箔层,然后制作导通孔,然后在外层铜箔上制作第二线路层以及一二层导通孔,然后对第二线路层进行阻焊和表面涂覆处理,然后进行分板,然后将分离的超薄基板粘接到支撑板,支撑板粘接在第二线路层所在的一面,然后蚀刻超薄铜箔层露出第一线路层,最后对第一线路层进行阻焊和表面涂覆处理。但是,现有技术中,首先,种子层为压合的铜箔或沉铜层,种子层与介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄基板结构的制造方法,包括如下步骤:/n(a)准备承载板,在所述承载板的表面形成第一阻焊层,并在所述第一阻焊层内形成第一阻焊开窗;/n(b)在所述第一阻焊层上形成第一金属种子层,在所述第一金属种子层上形成第一布线层、在所述第一布线层上的第一通孔柱层、覆盖所述第一布线层和所述第一通孔柱层的第一介电层和在所述第一介电层上的第二布线层,其中所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一通孔柱层导通连接;/n(c)在所述第二布线层上形成第二阻焊层,并在所述第二阻焊层内形成第二阻焊开窗;/n(d)移除所述承载板。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄基板结构的制造方法,包括如下步骤:
(a)准备承载板,在所述承载板的表面形成第一阻焊层,并在所述第一阻焊层内形成第一阻焊开窗;
(b)在所述第一阻焊层上形成第一金属种子层,在所述第一金属种子层上形成第一布线层、在所述第一布线层上的第一通孔柱层、覆盖所述第一布线层和所述第一通孔柱层的第一介电层和在所述第一介电层上的第二布线层,其中所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一通孔柱层导通连接;
(c)在所述第二布线层上形成第二阻焊层,并在所述第二阻焊层内形成第二阻焊开窗;
(d)移除所述承载板。


2.根据权利要求1所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述承载板包括支撑层和在所述支撑层的至少一个表面上的金属箔。


3.根据权利要求2所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述铜箔为双层金属箔,并且所述双层金属箔通过物理压合附着在一起。


4.根据权利要求2所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述铜箔为单层金属箔,并且在所述支撑层和所述单层金属箔之间具有离型层。


5.根据权利要求2所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述支撑层包括半固化片层。


6.根据权利要求4所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述离型层包括加热可移除的发泡胶层。


7.根据权利要求2所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述金属箔包括铜、铝或镍。


8.根据权利要求1所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述第一金属种子层包括钛、铜、钛钨合金或它们的组合。


9.根据权利要求8所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述第一金属种子层包括钛层和在所述钛层上的铜层。


10.根据权利要求9所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述钛层的厚度为0.1-0.3μm,所述铜层的厚度为0.8-2.0μm。


11.根据权利要求10所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述钛层的厚度为0.1μm,所述铜层的厚度为1.0μm。


12.根据权利要求1所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述第一通孔柱层的高度为15-30μm。


13.根据权利要求1所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述第一介电层的厚度为15-30μm。


14.根据权利要求1所述的超薄基板结构的制造方法,其中所述第一布线层和所述第二布线层的厚度为8-15μm。


15.根据权利要求1所述的超薄基板结构的制造方法,其中步骤(b)包括:
(b1)在所述第一阻焊层上施加第一金属种子层;
(b2)在...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈先明赵江江冯磊宝玥黄本霞洪业杰
申请(专利权)人:南通越亚半导体有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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