一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法，属于耐热材料领域，高耐热结构，其特征在于，从下到上依次为附着面和薄膜结构，所述薄膜结构从下到上依次为吸热剂、中间连接剂、耐热剂和保护剂；所述薄膜结构以质量成分计，分别为，吸热剂35～45％、中间连接剂10～20％、耐热剂30～50％、保护剂5％；其制备方法是先对散热器或基底表面进行清洗，然后依次喷涂吸热剂，中间连接剂，烘干后再依次喷涂耐热剂和保护剂，最后烘干即可，通过本发明专利技术可以解决高温环境下工作的设备，由于外界温度本身高于设备温度，普通散热的方法对此类设备并不管用的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法
本专利技术属于耐热材料领域，特别涉及一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法。
技术介绍
随着电子产品也向薄、轻、小的方向发展以适应现代社会对电子设备质量轻便，携带方便，柔性透明和集成度一体化的程度越来越高的要求的趋势的增加，电子产品表面温度不断升高，被放置的环境也越来越恶劣的情况导致电子元件的寿命骤降，电子产品的耐热性和对高温工作环境适应性差的问题越来越严峻；过高的温度会导致电子元器件性能下降，会导致电子器件中光学部件的老化，从而严重影响设备的整体性能，也不利于设备在整个行业中的推广；因此，耐热问题在设计建造各种类型的电子设备的过程中是重点要解决的问题。目前实际使用中的解决电子设备热问题的方法大部分是从散热角度出发，通过增加散热能力，导出设备内部多余热量，从而达到保证设备正常工作的目的，这能解决一部分设备的散热问题；但在实际中，一部分设备越来越多的会工作于极端环境，例如极寒，沙漠或者大海，森林等人迹罕至的地方；在高温环境下工作的设备，由于外界温度本身高于设备温度，这使得散热的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，从下到上依次为附着面和薄膜结构，所述附着面为基底或者散热器表面；所述基底为刚性基底或柔性基底；/n所述薄膜结构的总厚度不超过25um；/n所述薄膜结构从下到上依次为吸热剂、中间连接剂、耐热剂和保护剂；/n所述薄膜结构以质量成分计，分别为，吸热剂35～45％、中间连接剂10～20％、耐热剂30～50％、保护剂5％。/n

【技术特征摘要】
1.一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，从下到上依次为附着面和薄膜结构，所述附着面为基底或者散热器表面；所述基底为刚性基底或柔性基底；
所述薄膜结构的总厚度不超过25um；
所述薄膜结构从下到上依次为吸热剂、中间连接剂、耐热剂和保护剂；
所述薄膜结构以质量成分计，分别为，吸热剂35～45％、中间连接剂10～20％、耐热剂30～50％、保护剂5％。


2.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，所述刚性基底为玻璃或蓝宝石。


3.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，所述柔性基底为金属箔、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸薄膜中的一种。


4.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，所述吸热剂为具有三维空间结构的导热性和吸热性良好的金属纳米球或者氧化物纳米球中的一种或多种。


5.根据权利要求4所述的一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，所述吸热剂为银纳米球。


6.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，所述中间连接剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷中一种处理方法的氮化硼水分散溶液。


7.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，所述耐热剂为金属合金纳米线或金属纳米线中的一种或多种。


8.根据权利要求7所述的一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，其特征在于，所述耐热剂具体为铜铁合金纳米线、银铁合金纳米线、金铁合金纳米线、铝铁合金纳米线、镍铁合金纳米线、钴铁合金纳米线、锰铁合金纳米线、镉铁合金纳米线、铟铁合金纳米线、锡铁合金纳米线、钨铁合金纳米线、铂铁合金纳米线、银铜合金纳米线、金铜合金纳米线、铝铜合金纳米线、镍铜合金纳米线、钴铜合金纳米线、锰铜合金纳米线、镉铜合金纳米线、锡铜合金纳米线、钨铜合金纳米线、铂铜合金纳米线、金银合金纳米线、铝银合金纳米线、镍银合金纳米线、钴银合金纳米线、锰银合金...

【专利技术属性】
技术研发人员：周殿力，杨根杰，吴梦鸽，于军胜，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51