TSV转接板结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种TSV转接板结构及其制造方法，包括：制作基板，所述基板包括依次堆叠的底层基板层、中间基板层及顶层基板层；在顶层基板层上形成TSV结构，通过所述TSV结构暴露出部分中间基板层；去除底层基板层；在中间基板层上的TSV结构中形成电性引出结构。实现了所有TSV通孔一遇到中间基板层即可停止打孔，打孔深度一致，且打孔深度可控，可以解决现有技术方案中TSV刻蚀深度不能精确控制的问题，其次通过去除底层基板层，可以暴露出中间基板层，在中间基板层上直接形成电性引出结构，作为TSV结构的露头将所述TSV结构的电性引出，同时实现了背面露头工艺的简单可控。

【技术实现步骤摘要】
TSV转接板结构及其制造方法
本专利技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种TSV转接板结构及其制造方法。
技术介绍
微波毫米波射频集成电路技术是现代国防武器装备和互联网产业的基础，随着智能通信、智能家居、智能物流、智能交通等“互联网+”经济的快速兴起，承担数据接入和传输功能的微波毫米波射频集成电路也存在巨大现实需求及潜在市场。在后摩尔定律的时代背景下，通过传统的缩小晶体管尺寸的方式来提高集成度变得更加困难。现在的电子系统正朝着小型化、多样化、智能化的方向发展，并最终形成具有感知、通信、处理、传输等融合多功能于一体的高集成度低成本综合电子系统。多功能综合电子系统的核心技术是集成，正在由平面集成向三维集成、由芯片级向集成度和复杂度更高的系统级集成发展。三维集成系统级封装能够解决同样面积内集成更多的晶体管的问题，是未来的发展方向。通过转接板做载板或者盖板来做系统级封装的结构既能在架构上将芯片由平面布局改为堆叠式布局，又能集成无源器件或分立元件等系统构建，使得精度、密度增加，性能大大提高，代表着未来射频集成电路技术的发展趋势，在多方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，包括：/n制作基板，所述基板包括依次堆叠的底层基板层、中间基板层及顶层基板层；/n在顶层基板层上形成TSV结构，通过所述TSV结构暴露出部分中间基板层；/n去除底层基板层；/n在中间基板层上的TSV结构中形成电性引出结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，包括：
制作基板，所述基板包括依次堆叠的底层基板层、中间基板层及顶层基板层；
在顶层基板层上形成TSV结构，通过所述TSV结构暴露出部分中间基板层；
去除底层基板层；
在中间基板层上的TSV结构中形成电性引出结构。


2.如权利要求1所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，所述底层基板层的材料为硅，所述中间基板层的材料为二氧化硅，所述顶层基板层的材料为硅。


3.如权利要求1所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，还包括：
在顶层基板层上形成TSV结构之前，对所述顶层基板层进行减薄工艺，以使所述顶层基板层的高度等于TSV结构的设计深度。


4.如权利要求1所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，在顶层基板层上形成TSV结构包括：
所述TSV结构通过深反应离子刻蚀工艺形成第一通孔，刻蚀工艺进行至第一通孔暴露出中间基板层为止。


5.如权利要求4所述的TSV转接板结构的制造方法，其特征在于，在第一通孔中依次形成TSV绝缘层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴风伟，曹立强，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32