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本发明提供了一种TSV转接板结构及其制造方法，包括：制作基板，所述基板包括依次堆叠的底层基板层、中间基板层及顶层基板层；在顶层基板层上形成TSV结构，通过所述TSV结构暴露出部分中间基板层；去除底层基板层；在中间基板层上的TSV结构中形成电...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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