【技术实现步骤摘要】
本公开涉及封装，尤其涉及一种改善封装基板的嵌埋空洞的制作方法及封装基板。
技术介绍
1、电子产品对封装基板和印制电路板不断提出高功能性、高集成度和小型化的要求，以满足新兴应用的需求。在封装基板或印制电路板内部嵌埋电子元器件是实现电子产品的高集成和小型化主要方式。
2、传统的方式是预先在封装基板上制作要埋置电子器件的空腔，然后往腔体内贴装电子器件并压合介质层填充腔体并覆盖电子器件来实现嵌埋。
3、在进一步的改进技术中，不需要预先在封装基板上制作腔体，而是在封装基板线路表面施加介质材料，而后直接在未固化的介质表面粘接贴装电子器件，再压合介质材料进行包覆，获得嵌埋电子元器件的封装基板。然而，此中改进的封装产品往往由于元器件与介质之间存在空洞而导致可靠性不佳。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开的目的在于提出一种改善封装基板的嵌埋空洞的制作方法及封装基板。
2、基于上述目的，第一方面，本公开实施例提供了一种改善封装基板的嵌埋空洞的制作方法，包括：
3、(a)提供一线路基板，并在所述线路基板上形成未固化的第二介质层；
4、(b)在所述第二介质层上贴装器件；
5、(c)在所述器件远离所述第二介质层的一侧覆盖可剥离膜，并在真空条件下加压加热处理预设时间；
6、(d)剥离所述可剥离膜，固化所述第二介质层；
7、(e)在所述第二介质层上形成覆盖所述器件的第三介质层。
8、在一些实施例中，所述线
9、在一些实施例中，所述第二介质层的表面粘性不满足贴装要求，步骤(b)包括：
10、加热所述线路基板和所述器件中的至少一者，以便于贴装所述器件。
11、在一些实施例中，所述可剥离膜选自pet(对苯二甲酸乙二醇酯)膜或opp(定向拉伸聚丙烯)膜。
12、在一些实施例中，所述加压的压强为1kg/cm2～50kg/cm2；和/或
13、所述加热的温度为40～150℃。
14、在一些实施例中，所述预设时间为20秒～10分钟。
15、在一些实施例中，步骤(d)包括：
16、先剥离所述可剥离膜，再固化所述第二介质层；或者
17、先固化所述第二介质层，再剥离所述可剥离膜。
18、在一些实施例中，还包括：
19、(f)在所述第三介质层上形成扇出所述器件和所述第一线路层的第二线路层。
20、在一些实施例中，步骤(f)包括：
21、(f1)对所述第二介质层和第三介质层开孔形成暴露所述器件的端子和部分所述第一线路层的导通孔；
22、(f2)在所述第三介质层上形成第二线路层；其中，所述第二线路层导通连接所述端子和所述第一线路层。
23、第二方面，本公开实施例提供了一种改善嵌埋空洞的封装基板，所述封装基板包括第二介质层、第三介质层以及嵌埋在所述第二介质层和所述第三介质层内的器件；其中，所述器件的背面和所述第二介质层之间完全贴合基本不存在空洞，所述器件的端子嵌埋于所述第三介质层。
24、在一些实施例中，所述第二介质层远离所述第三介质层的一侧设置有第一线路层和第一介质层，所述第三介质层远离所述第二介质层的一侧设置有第二线路层；所述第二线路层导通连接所述端子和所述第一线路层。
25、从上面所述可以看出，本公开实施例提供的一种改善封装基板的嵌埋空洞的制作方法及封装基板，在未固化的第二介质层上贴装器件之后覆盖可剥离膜进行保护，然后进行真空热压处理使第二介质层恢复流动从而消除第二介质层和器件之间的空洞，同时由于可剥离膜在所施加的真空热压环境下不会因为受热而熔化，从而既能保护元器件避免发生元器件偏移问题，又能达到消除界面处嵌埋空洞，改善封装基板品质的技术效果。
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1.一种改善封装基板的嵌埋空洞的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述线路基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上的第一线路层；其中，所述第二介质层覆盖所述第一介质层和所述第一线路层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述可剥离膜选自PET膜或OPP膜。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述加压的压强为1kg/cm2～50kg/cm2；和/或所述加热的温度为40～150℃。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预设时间为20秒～10分钟。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(d)包括：
7.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，步骤(f)包括：
9.一种改善嵌埋空洞的封装基板，其特征在于，所述封装基板包括第二介质层、第三介质层以及嵌埋在所述第二介质层和所述第三介质层内的器件；其中，所述器件的背面和所述第二介质层之间完全贴合不存在
10.根据权利要求9所述的封装基板，其特征在于，所述第二介质层远离所述第三介质层的一侧设置有第一线路层和第一介质层，所述第三介质层远离所述第二介质层的一侧设置有第二线路层；所述第二线路层导通连接所述端子和所述第一线路层。
...【技术特征摘要】
1.一种改善封装基板的嵌埋空洞的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述线路基板包括第一介质层和位于所述第一介质层上的第一线路层；其中，所述第二介质层覆盖所述第一介质层和所述第一线路层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述可剥离膜选自pet膜或opp膜。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述加压的压强为1kg/cm2～50kg/cm2；和/或所述加热的温度为40～150℃。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预设时间为20秒～10分钟。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，林文健，黄本霞，高文利，韩少卿，
申请(专利权)人：南通越亚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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