【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装结构，尤其是涉及一种高散热嵌埋基板制作方法。
技术介绍
1、随着嵌入式封装载板内的芯片或其它元器件的数量的不断增多以及功率的不断升高，产品高功率导致的发热问题成为封装载板急需改进和解决的问题之一。
2、传统的嵌入式封装载板通常利用铜块与芯片或元器件进行传导热量，此方法在一定程度上可利用金属优良的导热性，将发热源的热量进行散热，但随着发热源的数量以及热量的不断提升，铜块散热便无法有效地将热量完全传导；而且，当出现对温度环境更高的芯片时，例如需将工作温度控制在某一区间温度内，铜块散热工艺便无法满足此需求。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种高散热嵌埋基板制作方法，具备良好的散热能力。
2、根据本专利技术实施例的高散热嵌埋基板制作方法，包括以下步骤：
3、准备承载板，所述承载板包括核心层以及设置于所述核心层表面的金属层；
4、在所述金属层的表面，制作至少一个第一牺牲块，...
【技术保护点】
1.一种高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，所述第一牺牲块的数量为两个，所述芯片具有两个，分别为第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一端子面和第一非端子面，所述第一端子面设置有第一连接端子，所述第二芯片包括第二端子面和第二非端子面，所述第二端子面设置有第二连接端子；
3.根据权利要求1或2所述的高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，所述第一牺牲块包括第一牺牲柱和第二牺牲柱；
4.根据权利要求2所述的高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘介质层的上...
【技术特征摘要】
1.一种高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，所述第一牺牲块的数量为两个，所述芯片具有两个，分别为第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一端子面和第一非端子面，所述第一端子面设置有第一连接端子，所述第二芯片包括第二端子面和第二非端子面，所述第二端子面设置有第二连接端子；
3.根据权利要求1或2所述的高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，所述第一牺牲块包括第一牺牲柱和第二牺牲柱；
4.根据权利要求2所述的高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘介质层的上表面施加第一封装材料，并使所述第一封装材料填充所述第一安装腔，以封装所述芯片，并对所述第一封装材料进行开窗形成第一窗口，在所述第一窗口处形成与所述芯片的上表面连接的第二牺牲块，具体包括：
5.根据权利要求2所述的高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘介质层的下表面施加第一层压材料，并对所述第一层压材料进行开窗，形成与所述芯片相连通的第二窗口，具体包括：
6.根据权利要求5所述的高散热嵌埋基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一层压材料的下表面施...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，黄本霞，洪业杰，刘浩，
申请(专利权)人：南通越亚半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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