A metal oxide semiconductor voltage reference circuit includes an input power supply, two depletion NMOS transistor, the input power supply and two depletion NMOS tube current mirror circuit; enhanced NMOS tube, the current mirror circuit the first branch and the enhanced NMOS tube drain electrode, the enhanced NMOS tube grounded source, gate and the second branch of the depletion mode NMOS tube is connected to the source electrode; two resistors, second branch current mirror circuit through the two resistance grounding, leads to output between the two resistor. The utility model can meet the requirement of the performance of the reference voltage source when the component is less used, and greatly simplifies the design of the circuit.
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属氧化物半导体电压基准电路，包括： 输入电源、两个耗尽型ＮＭＯＳ管，该输入电源和两个耗尽型ＮＭＯＳ管组成电流镜像电路； 其特征在于所述金属氧化物半导体电压基准电路进一步包括： 增强型ＮＭＯＳ管，电流镜像电路的第一支路与该增强型ＮＭＯＳ管的漏极相连，该增强型ＮＭＯＳ管的源极接地，栅极与第二支路中耗尽型ＮＭＯＳ管的源极相连； 两个电阻，电流镜像电路的第二支路经该两个电阻串联接地，在该两个电阻之间引出输出端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：方邵华，管慧，
申请(专利权)人：BCD半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：KY[开曼群岛]
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