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金属氧化物半导体电压基准电路制造技术
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文档序号:2792972
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一种金属氧化物半导体电压基准电路,包括:输入电源、两个耗尽型NMOS管,该输入电源和两个耗尽型NMOS管组成电流镜像电路;增强型NMOS管,电流镜像电路的第一支路与该增强型NMOS管的漏极相连,该增强型NMOS管的源极接地,栅极与第二支路中...
该专利属于BCD半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过BCD半导体制造有限公司授权不得商用。
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