电子封装件及其制法制造技术

一种电子封装件及其制法，其在设于承载结构上的多个电子元件之间的间隙中形成填充材，以作为间隔部，且令该间隔部具有凹槽以作为应力缓冲区，避免该多个电子元件因应力集中而发生破裂的问题。生破裂的问题。生破裂的问题。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法


[0001]本专利技术有关一种半导体装置，尤指一种电子封装件及其制法。

技术介绍

[0002]随着电子产业的发达，现今的电子产品已趋向轻薄短小与功能多样化的方向设计，半导体封装技术也随之开发出不同的封装型态。为满足半导体装置的高集成度(Integration)以及微型化(Miniaturization)需求，除传统打线式(Wire bonding)的半导体封装技术外，业界主要经由覆晶(Flip chip)方式，以提升半导体装置的布线密度。
[0003]图1为现有覆晶式封装结构1的剖视示意图。如图1所示，先将一半导体芯片11经由多个焊锡凸块13结合至一封装基板10上，再回焊该焊锡凸块13。接着，形成底胶14于该半导体芯片11与该封装基板10之间，以包覆所述焊锡凸块13。
[0004]然而，现有覆晶式封装结构1中，于封装时，该底胶14可能会形成于该半导体芯片的角落处或非作用面的边缘，且该底胶14相对杨氏系数大，致使该半导体芯片11的内部应力增高，造成该半导体芯片11的应力集中，导致破裂发生，而使该覆晶式封装结构1的可靠度不佳。
[0005]因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

技术实现思路

[0006]鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，可避免多个电子元件因应力集中而发生破裂的问题。
[0007]本专利技术的电子封装件，包括：承载结构；第一电子元件与第二电子元件，其间隔设置于该承载结构上，以令该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；填充材，其形成于该间隙中以作为间隔部，其中，该间隔部具有凹槽；以及作用层，其形成于该凹槽中。
[0008]本专利技术还提供一种电子封装件的制法，包括：将第一电子元件与第二电子元件间隔设置于承载结构上，使该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；形成填充材于该间隙中，以令该填充材作为间隔部，其中，该令间隔部形成有凹槽；以及形成作用层于该凹槽中。
[0009]前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件及第二电子元件电性连接该承载结构。
[0010]前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件与该第二电子元件为相同或不同类型。
[0011]前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该作用层的上表面。
[0012]前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该间隔部的上表面。
[0013]前述的电子封装件及其制法中，该凹槽的宽度由槽口至槽底呈一致。
[0014]前述的电子封装件及其制法中，该凹槽的宽度由槽口至槽底不一致。
[0015]前述的电子封装件及其制法中，该填充材还形成于该承载结构与该第一电子元件之间及该承载结构与该第二电子元件之间。
[0016]前述的电子封装件及其制法中，该作用层的杨氏系数小于该填充材的杨氏系数。
[0017]前述的电子封装件及其制法中，该凹槽的侧壁延伸至该第一电子元件及/或第二电子元件。
[0018]由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法中，主要经由位于该第一电子元件与第二电子元件之间的填充材中形成有凹槽，以令间隔部作为应力缓冲区，故相比于现有技术，本专利技术能有效避免该第一电子元件及第二电子元件因应力集中而发生破裂的问题。
附图说明
[0019]图1为现有覆晶式封装结构的剖面示意图；
[0020]图2A至图2D为本专利技术的电子封装件的制法的剖视示意图；
[0021]图2C-1为图2C的局部放大示意图；
[0022]图2D
’
为图2D的另一实施样式示意图；
[0023]图3为图2D的另一实施例的剖视示意图；以及
[0024]图3
’
为图3的另一实施例的剖视示意图。
[0025]附图标记说明
[0026]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
封装结构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
封装基板
[0027]11
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
半导体芯片
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13
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焊锡凸块
[0028]14
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
底胶
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2,3
ꢀꢀꢀꢀꢀ
电子封装件
[0029]20
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
承载结构
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
21
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一电子元件
[0030]21a,22a 作用面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
21b,22b 非作用面
[0031]21c,22c 侧面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
210,220 电极垫
[0032]211,221 导电凸块
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
22
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二电子元件
[0033]23a
ꢀꢀꢀꢀꢀ
间隔部
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
230,330 凹槽
[0034]230c,330c,330c
’ꢀ
侧壁
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
231
ꢀꢀꢀꢀꢀ
第一区块
[0035]232
ꢀꢀꢀꢀꢀ
第二区块
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
233
ꢀꢀꢀꢀꢀ
连接块
[0036]24,24
’ꢀ
作用层
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ9ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
刀具
[0037]A
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
水平方向
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
B
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
应力缓冲区
[0038]L,r
ꢀꢀꢀꢀꢀ
宽度
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
S
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
间隙
[0039]t1,t2
ꢀꢀꢀ
厚度
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
23
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
填充材。
具体实施方式
[0040]以下经由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。
[0041]须知，本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能
产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：承载结构；第一电子元件与第二电子元件，其间隔设置于该承载结构上，以令该第一电子元件与该第二电子元件之间形成有一间隙；填充材，其形成于该间隙中以作为间隔部，且该间隔部具有凹槽；以及作用层，其形成于该凹槽中。2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件及第二电子元件电性连接该承载结构。3.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件为相同或不同类型。4.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该作用层的上表面。5.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电子元件与该第二电子元件的上表面齐平该间隔部的上表面。6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该凹槽的宽度由槽口至槽底呈一致。7.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该凹槽的宽度由槽口至槽底不一致。8.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该填充材还形成于该承载结构与该第一电子元件之间及该承载结构与该第二电子元件之间。9.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该作用层的杨氏系数小于该填充材的杨氏系数。10.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该凹槽的侧壁延伸至该第一电子元件及/或第二电子元件。11.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：将第一电子元...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏达，丁俊彰，陈麒任，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：