改善易碎基片涂胶工艺的方法技术

本发明专利技术一种改善易碎基片涂胶工艺的方法，包括如下步骤：１）取待涂胶基片，进行清洗，用氮气吹干；２）制作吸气缓冲垫层；３）制作出涂胶缓冲垫层；４）将垫层放置在吸头上，再将待涂胶基片放置在垫层上；５）滴胶，旋转涂胶；６）涂胶结束后，关闭吸气真空开关，从垫层上取下基片；７）送基片至下步工序，结束。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于半导体、微电子技术，特别是指一种。尽管InP基HBT和HEMT为器件与电路性能优越，但价格一直过高。究其原因，除原材料成本高外，工艺成品率低也是影响成本的主要因素。碎片率太高是影响工艺加工成品率最突出的问题。在器件与电路加工过程中，器件隔离、欧姆接触、栅线条制作、引线、开孔等等几乎每一步工艺都离不开涂胶和光刻。涂胶引起的碎片很严重。GaAs基电路的涂胶加工过程中同样存在碎片问题。工艺过程中的碎片问题曾严重捆扰我们。目前采用的常规工艺涂胶时，基片(例如InP基衬底片)直接置于真空吸盘上，通过负压的吸力基片在旋转涂胶时不甩飞。由于吸力吸盘多为金属材质，吸孔多在吸盘中心一孔或放射状多孔。不论哪一类孔的排列方式，都会使基片各处受力不均，严重时导致碎片。碎片的另外一个原因是甩胶时，胶液溢出到基片边缘外围，引起基片周围与下面吸盘的粘连，在取下基片时导致片子碎裂。经过探索和实践，专利技术了一种本专利叙述的改善易碎基片涂胶工艺的有效方法。本专利技术一种，其特征在于，包括如下步骤1)取待涂胶基片，进行清洗，用氮气吹干；2)制作吸气缓冲垫层；3)制作出涂胶缓冲垫层；4)将垫层放置在吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善易碎基片涂胶工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）取待涂胶基片，进行清洗，用氮气吹干；２）制作吸气缓冲垫层；３）制作出涂胶缓冲垫层；４）将垫层放置在吸头上，再将待涂胶基片放置在垫层上；５）滴胶，旋转涂胶； ６）涂胶结束后，关闭吸气真空开关，从垫层上取下基片；７）送基片至下步工序，结束。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：张海英，
申请(专利权)人：中国科学院微电子中心，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]