半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置被揭露，其包括半导体基板、设置在半导体基板的第一表面上的底电极、设置在半导体基板与第一表面相对的第二表面上的绝缘层、电流

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]一种半导体装置，特别是一种具有围绕第一电极的第二电极以输入不同频率信号的半导体装置。

技术介绍

[0002]倍频器通常用于频率合成器和通信电路。一些工作已演示一个具有利用负跨导(negative transconductance)现象的单装置的倍频器。然而，该装置需要在低温下操作以及装置的制造更为复杂。

技术实现思路

[0003]根据本揭露案的一实施例，揭露一种半导体装置，其包括半导体基板、设置在半导体基板的第一表面上的底电极、设置在半导体基板与第一表面相对的第二表面上的绝缘层、第一电极和第二电极以及电流-电压转换器。第一电极和第二电极彼此分离并且设置在绝缘层上。第一电极用以被施加输入信号，并且第二电极用以输出与输入信号相关联的输出电流信号。输入信号用以具有可变的电压电位，并且输出电流信号用以具有峰值电流值和谷值电流值。电流-电压转换器用以接收输出电流信号以产生输出电压信号。
附图说明
[0004]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本揭露案的一实施例的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0005]图1A是根据本揭露案的一些实施例的装置10的示意性布局的顶视图。图1B是根据本揭露案的一些实施例的沿着图1A中的横截线ab截取的装置10的示意性侧视图；
[0006]图2是根据本揭露案的一些实施例与输入信号V
in
一同操作的装置10的示意图；
[0007]图3是示出根据本揭露案的一些实施例的输出电流信号I
out
与图2中的输入信号V
in
的图表；
[0008]图4是根据本揭露案的一些实施例的与输入信号V
in
一起操作的装置10的示意图；
[0009]图5A是示出根据本揭露案的一些实施例的输出电流信号I
out
对应图4中的输入信号V
in
的图表。图5B示出了输入信号V
in
和对应的输出电压信号V
out
；
[0010]图6A是示出根据本揭露案的一些实施例的输出电流信号I
out
对应图4中的输入信号V
in
的图表。图6B示出了输入信号V
in
和对应的输出电压信号V
out
；
[0011]图7A是示出根据本揭露案的一些实施例的输出电流信号I
out
对应图4中的输入信号V
in
的图表。图7B示出了输入信号V
in
和对应的输出电压信号V
out
；
[0012]图8A是示出根据本揭露案的一些实施例的输出电流信号I
out
对应图4中的输入信号V
in
的图表。图8B示出了输入信号V
in
和对应的输出电压信号V
out
；
[0013]图9A是根据本揭露案的一些实施例的操作有输入信号V
in
和基板偏压V
substrate
的装
置10的示意图；
[0014]图9B是示出根据本揭露案的一些实施例的具有各种基板偏置的输出电流信号I
out
与输入信号V
in
的图表；
[0015]图10是示出根据本揭露案的一些实施例的装置10的基板偏压V
substrate
，输入信号V
in
和输出电流信号I
out
的图表；以及
[0016]图11是根据本揭露案的一些实施例的与输入信号V
in
一起操作的装置10的示意图。
[0017]【符号说明】
[0018]10:装置
[0019]100:半导体基板
[0020]110:底电极
[0021]120:绝缘层
[0022]130,140:电极
[0023]150:电流-电压转换器
[0024]R:电阻器
[0025]d:距离
[0026]ab:横截线
[0027]V
in
:输入信号
[0028]V
out
:输出电压信号
[0029]V
substrate
:基板偏压
[0030]V
center
:电压
[0031]I
out
:输出电流信号
[0032]C1-C5:曲线
具体实施方式
[0033]以下公开内容提供了许多用于实现本揭露案的一实施例的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本揭露案的一实施例。当然这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。如本文使用的，在第二部件上形成第一部件是指形成与第二部件直接接触的第一部件。此外，本揭露案的一实施例可以在各个示例中重复参照数位和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0034]在本说明书中使用的术语通常具有本领域和在使用每个术语的特定上下文中的普通含义。本说明书中的示例的使用，包括本文讨论的任何术语的示例，仅是说明性的，绝不限制本揭露案的一实施例或任何示例性术语的范围和含义。同样，本揭露案的一实施例不限于本说明书中给出的多种实施例。
[0035]尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离实施例的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元
件。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。
[0036]如本文所使用的“约”、“大约”、“大致上”或“基本上”应通常是指给定值或范围的任何近似值，近似值取决于所涉及的多种领域以及范围而变化，近似值的范围应与本领域技术人员所理解的最广泛的解释相一致，以涵盖所有此类修改和类似结构。在一些实施例中，近似值通常是指给定值或范围的百分之二十以内，优选地为百分之十以内，更优选地为百分之五以内。本文给出的数值是近似的，意味着如果没有明确说明则术语“约”、“大约”、“大致上”或“基本上”是可以推定的、或者意味着其他近似值。
[0037]现在请参照图1A和图1B。图1A是根据本揭露案的一些实施例的装置10的示意性布局的顶视图。图1B是根据本揭露案的一些实施例的沿着图1A中的横截线ab截取的装置10的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板；一底电极，设置在该半导体基板的一第一表面上；一绝缘层，设置在该半导体基板与该第一表面相对的一第二表面上；一第一电极和一第二电极，该第一电极和该第二电极彼此分离并且设置在该绝缘层上，其中该第一电极用...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡振国，许庭昊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：