【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体前道领域中的光刻设备，尤其涉及光刻机中 的 一种双边驱动系统的定位控制方法及其装置。
技术介绍
硅片生产过程中包含了一系列的极为复杂、昂贵、耗时的光刻 工艺过程，而光刻机的光刻精度和产率高低直接决定了光刻设备的 设计和制造。随着市场对光刻产率需求的提高，且同时要求改善和 提高系统的曝光质量和曝光精度。在此背景下要求执行机构在大惯 量高速运动时仍具有很高的定位精度。目前，对双边同步驱动的方式主要是并行控制和主从控制。并 行控制方法是双边电机独立控制，彼此之间不产生相互影响，任何 一边的扰动也不会影响另外一边，但是一旦其中一边发生扰动，由 于缺少相互反馈，属于开环控制，这时系统的同步将难以保证。这时一般采用Rz轴来校正这种不同步，但是这样的方式不仅多了一个 控制轴，而且它会导致两个同步轴位置偏差相位不一致，这也影响 了控制精度。主从控制方法可以提高控制器的跟踪性能，任何主机的位置，负载的扰动都能准确的反映在从机上，从机可以准确的跟 踪主机，但是从机上的扰动却不能反馈到主机上，并且后一台电机 的转速比前一台稍有滞后，启动过程的跟随性能不理想，这些均...
【技术保护点】
一种Ｈ型双边驱动定位系统，包括Ｘ向运动模块的设定点发生器（２０１），用于设定运动台Ｘ向期望位置的指示信号，Ｙ向运动的设定点发生器（２０２），用于设定运动台Ｙ向期望位置的指示信号；其特征在于：还包括 同步耦合控制器（２１２），用于调整Ｙ１运动模块（２０８）与Ｙ２运动模块（２１１）的之间的位置误差； 轮廓误差控制器（２２０），用于调整运动模块在ＸＹ向的轮廓误差。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵娟，吴立伟，陈锐，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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