【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于配合投影光刻机对制造微电子产品所使用的硅片进行 调焦调平测量的装置及方法。
技术介绍
在投影光刻装置中,通常使用硅片调焦调平探测装置来实现对硅片表面特 定区域进行高度和倾斜度的测量。该测量装置要求的精度较高,且操作时不能 损伤硅片。所以,硅片调焦调平测量必须是非接触式测量,常用的非接触式调焦调平测量方法有三种光学测量法、电容测量法、气压测量法。在现今的扫描投影光刻装置中,多使用光学测量法来实现对硅片的调焦调 平测量。光学调焦调平探测装置的技术多种多样,典型例见美国专利 U.S.4,558,949 (Horizontal position detecting device,申^青于1982年9月17日)。 该专利公开了一种调焦调平探测装置,如图1所示,该装置共有两套独立的测 量系统,分别用于硅片特定区域的高度和倾斜度的测量。在高度测量系统中, 使用投影狭缝和探测狭缝来实现对硅片高度的探测,同时使用扫描反射镜实现 对被测信号的调制。在倾斜测量系统中,投影分支在硅片表面形成一个较大的 测量光斑,经硅片反射后,该光斑成像在一个四象限探测器上,然后根 ...
【技术保护点】
一种调焦调平探测装置,其测量光路分布于投影物镜光轴的两侧,包括依次以光路联结的照明单元、投影单元、成像单元及探测单元,其中:照明单元主要由光源、透镜组及光纤组成;投影单元主要由反射镜组、狭缝及透镜组组成;成像单元主要由反射镜组、透镜组及平行偏转补偿板组成;探测单元主要由扫描反射镜、探测狭缝阵列及探测器阵列组成,其特征在于:在对应一个光斑的探测狭缝阵列中的多个探测狭缝,由其中一个探测狭缝用于精测,其他的探测狭缝用于粗测;由多个探测狭缝和多个探测器根据探测器阵列与探测狭缝阵列所存在的一一对应关系来探测一个光斑的位置,从而实现对硅片表面的高精度大范围的高度和倾斜度测量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:廖飞红,李志丹,李小平,程吉水,李志科,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,华中科技大学,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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