光掩模检测方法与在线即时光掩模检测方法技术

本发明专利技术公开了一种光掩模检测方法，适用于具有图案区与空白区的光掩模。首先，提供晶片，此晶片是以上述光掩模进行光刻工艺。晶片上有多个曝光区，每一曝光区中有元件图案区，其中每一元件图案区被切割道区包围。且每一元件图案区对应于光掩模的图案区，而切割道区对应于光掩模的空白区。然后，将切割道区划分成多个虚拟图案区。接着，将虚拟图案区进行两两重叠比较步骤，当虚拟图案区至少其中之一与其他虚拟图案区不完全相叠合，则不完全叠合的虚拟图案区相对应的光掩模上的部分空白区具有光掩模黑影。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于 一种光掩模检测方法，且特别是有关于一种在线即时光 掩斗勤企测方法。
技术介绍
近来，半导体均趋向缩小电路元件的设计发展，而于整个半导体工艺中最为举足轻重的步骤之一即为光刻工艺(photolithography)。凡是与半导体元 件结构相关例如各层薄膜的图案，都是由光刻工艺来决定其关键尺寸(critical dimension, CD)的大小。因此，将光掩模上的图案转移至晶片(wafer)上的精 确性，便占有非常重要的地位。若是光掩模上的图案不正确，则会造成图案 的转移更为不正确，因而影响晶片上的关键尺寸的容许度(tolerance)，降低 曝光的解析度。在制作光掩模的时候，通常会使用硫酸来清洗光掩模，而使得光掩模上 会残留有硫酸根离子(S042—)。之后进行光刻工艺时，利用光掩模进行曝光步 骤使光掩模上的图案转移至晶片上，很容易造成光掩^Ch的硫酸根离子与铵 根离子(NH,相结合，或者是会有其他的微粒附着于光掩模上，而在光掩模 上形成雾状的光掩模黑影(haze)。刚形成的光掩模黑影很小，对工艺并没有 太大的影响，但是随着工艺时间拉长或是进行工艺的次数增加，会使光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩模检测方法，适用于光掩模，其中该光掩模具有图案区与空白区，该方法包括：　提供晶片，该晶片以该光掩模进行光刻工艺，其中该晶片上有多个曝光区，每一该曝光区中有元件图案区，每一这些元件图案区被切割道区包围，且每一这些元件图案区对应于该光掩模的该图案区，而该切割道区对应于该光掩模的该空白区；　将该切割道区划分成多个虚拟图案区；以及　将这些虚拟图案区进行两两重叠比较步骤，其中当这些虚拟图案区至少其中之一与其他这些虚拟图案区不完全相叠合，则该不完全叠合的虚拟图案区相对应的该光掩模上的部分该空白区具有光掩模黑影。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨忠彦，张明哲，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]