像素结构及其驱动方法技术

本发明专利技术揭露一种像素结构，包含第一电容、输入单元、像素驱动单元、补偿单元、第一重置单元、发光二极管及发光致能单元。第一电容具有第一端与第二端，第一端耦接第一参考电压；像素驱动单元根据第一电容的第二端的电压与第一电压以提供驱动电流；补偿单元用以根据第一扫描信号以控制第一电容的第二端的电压；第一重置单元用以根据第N+1级发光信号以重置第一电容的第二端的电压；发光二极管用以接收第二参考电压及驱动电流；发光致能单元耦接于发光二极管与像素驱动单元之间，发光致能单元用以根据第N级发光信号将驱动电流提供至发光二极管。本发明专利技术可提供相对稳定的驱动电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构及其驱动方法，尤其涉及一种可提供稳定地驱动电流的像素结构及其驱动方法。
技术介绍
在现在的各种数字显示装置中，主动式矩阵有机发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay，AMOLED)因具有自发光、高亮度、高发光效率、高对比、反应速度快、广视角以及可使用温度范围大等优点，因此在数字显示装置的市场上极具竞争性。现有的AMOLED装置中包含扫描驱动电路、数据驱动电路以及多个像素单元。现有AMOLED装置中每一个像素单元包含输入晶体管、驱动晶体管、储存电容以及发光二极管。扫描驱动电路与数据驱动电路分别用来提供扫描信号与数据信号给每一像素单元中的输入晶体管，每一像素单元据以控制驱动晶体管产生的驱动电流，进而驱动发光二极管运行并发光。然而，在主动式矩阵有机发光显示装置的运作中，驱动电流受驱动晶体管的临界电压(thresholdvoltage)所影响，因AMOLED装置中不同的像素单元各自的驱动晶体管的临界电压存在一定误差，临界电压误差会导致像素亮度失真而降低显示品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素结构及其驱动方法，其可以在发光时段中驱动电流的电流大小不受驱动晶体管的元件特性(如临界电压不同)而影响，从而可提供相对稳定的驱动电流。为了达到上述目的，本专利技术提出一种像素结构，包含第一电容、输入单元、像素驱动单元、补偿单元、第一重置单元、发光二极管以及发光致能单元。第一电容具有第一端与第二端，该第一电容的该第一端耦接第一参考电压；输入单元用以根据第一扫描信号、第N级发光信号、数据信号及该第一参考电压输出第一电压；像素驱动单元用以根据该第一电容的该第二端的电压与该第一电压以提供驱动电流；补偿单元耦接该第一电容及该像素驱动单元，该补偿单元用以根据该第一扫描信号以控制该第一电容的该第二端的电压；第一重置单元藉由该补偿单元耦接该第一电容的该第二端，该第一重置单元用以根据第N+1级发光信号以重置该第一电容的该第二端的电压；发光二极管用以接收第二参考电压及该驱动电流；发光致能单元耦接于该发光二极管与该像素驱动单元之间，该发光致能单元用以根据该第N级发光信号将该驱动电流提供至该发光二极管。作为可选的技术方案，该输入单元具有第一晶体管及第二晶体管，该第一晶体管的第一端用以接收数据信号，该第一晶体管的栅极端用以接收该第一扫描信号，该第一晶体管的第二端耦接该像素驱动单元及该第二晶体管的第二端，该第二晶体管的第一端用以接收该第一参考电压，该第二晶体管的栅极端用以接收该第N级发光信号。作为可选的技术方案，该像素驱动单元包含第三晶体管，该第三晶体管的第一端用以接收该第一电压，该第二晶体管的栅极端耦接该第一电容的该第二端，该第二晶体管的第二端用以输出该驱动电流。作为可选的技术方案，该发光致能单元包含第四晶体管，该第四晶体管的第一端耦接该第二晶体管的第二端，该第四晶体管的栅极端用以接收该第N级发光信号，该第四晶体管的第二端耦接该发光二极管。作为可选的技术方案，该第一重置单元包含第八晶体管，该第八晶体管的第二端藉由该补偿单元耦接该第一电容的该第二端，该第八晶体管的栅极端耦接该第八晶体管的第一端，该第八晶体管的第一端用以接收第N+1级发光信号。作为可选的技术方案，该像素结构还包含第二重置单元，该第二重置单元包含第九晶体管，该第九晶体管的第二端耦接该发光二极管的正极，该第九晶体管的栅极端耦接该第九晶体管的第一端，该第九晶体管的第一端用以接收该第一扫描信号。此外，本专利技术还提出一种像素结构的驱动方法，用以驱动上述的像素结构，该驱动方法包含：于第一时段内，通过该第N+1级发光信号驱动该第一重置单元进而通过该第N+1级发光信号重置该第一电容的第二端的电压；于该第一时段后的第二时段内，通过该第一扫描信号驱动该补偿单元进而通过该数据信号控制该第一电容的该第二端的电压，借此对该像素驱动单元执行临界电压补偿运作及数据写入；于该第二时段后的第三时段内，通过该第N级发光信号驱动该发光致能单元进而将该驱动电流馈入该发光二极管。作为可选的技术方案，于该第一时段内，该驱动方法还包含：提供具有第二电平的该第一扫描信号至该输入单元、该补偿单元；提供具有该第二电平的该第N+1级发光信号至该第一重置单元；以及提供具有第一电平的该第N级发光信号至该发光致能单元，其中该第二电平异于该第一电平。作为可选的技术方案，于该第二时段内，该驱动方法还包含：将该第N+1级发光信号由该第二电平切换为该第一电平，以除能该第一重置单元的重置运作。作为可选的技术方案，于该第三时段内，该驱动方法还包含：将该第一扫描信号从该第二电平切换为该第一电平以除能该补偿单元的临界电压补偿运作，以及将该发光信号从该第一电平切换为该第二电平。本专利技术的像素结构及其驱动方法，由于对像素驱动单元进行临界电压补偿运作，使得发光时段中驱动电流的电流大小不受驱动晶体管的元件特性的影响，从而可提供相对稳定的驱动电流。此外，本专利技术将下一级发光信号接成二极管接法(diodeconnection)以对储存电容的电压进行重置，进而不需要额外接入直流电压，从而使得本专利技术减少了一组直流电压环绕显示装置，故有利于显示装置的窄边框趋势，且有利于外部稳压电容使用。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1为本专利技术的一种显示装置的像素结构的示意图；图2为本专利技术的像素结构的电路示意图；图3为本专利技术的像素结构于驱动方法的一操作实施例的信号时序示意图；图4为第一时段t1内本专利技术的像素结构100中各晶体管的状态示意图；图5为第二时段t2内本专利技术的像素结构100中各晶体管的状态示意图；图6为第三时段t3内本专利技术的像素结构100中各晶体管的状态示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在以下实施例中，在不同的图中，相同部分是以相同标号表示。请参阅图1，图1为本专利技术的一种显示装置的像素结构100的示意图。本实施例的像素结构100可用于主动式矩阵有机发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay，AMOLED)。有机发光显示装置中可包含多个如图1所示的像素结构100，用以组成完整的显示画面。如图1所示，每个像素结构100中包含第一电容C1、输入单元110、像素驱动单元120、发光致能单元130、发光二极管140、补偿单元150、第一重置单元160以及第二重置单元170。第一电容C1具有第一端N1与第二端N2，第一电容C1的第一端N1耦接第一参考电压。本实施例中，第一参考电压为系统高电压OVDD。于实际应用中，第一电容C1可作为像素结构100中的像素储存电容，用来储存像素驱动单元120的控制电压。输入单元110用以根据数据信号Vdata、第一参考电压、第一扫描信号S2及第N级发光信号EMn输出第一电压V1至像素驱动单元120。实际操作中，输入单元110根据第一扫描信号S2来确定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于包含：第一电容，具有第一端与第二端，该第一电容的该第一端耦接第一参考电压；输入单元，用以根据第一扫描信号、第N级发光信号、数据信号及该第一参考电压输出第一电压；像素驱动单元，用以根据该第一电容的该第二端的电压与该第一电压以提供驱动电流；补偿单元，耦接该第一电容及该像素驱动单元，该补偿单元用以根据该第一扫描信号以控制该第一电容的该第二端的电压；第一重置单元，藉由该补偿单元耦接该第一电容的该第二端，该第一重置单元用以根据第N+1级发光信号以重置该第一电容的该第二端的电压，该第N+1级发光信号为该N级发光信号的下一级发光信号；发光二极管，用以接收第二参考电压及该驱动电流；以及发光致能单元，用以接收该第N级发光信号，且该发光致能单元耦接于该发光二极管与该像素驱动单元之间，该发光致能单元用以根据该第N级发光信号将该驱动电流提供至该发光二极管。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于包含：第一电容，具有第一端与第二端，该第一电容的该第一端耦接第一参考电压；输入单元，用以根据第一扫描信号、第N级发光信号、数据信号及该第一参考电压输出第一电压；像素驱动单元，用以根据该第一电容的该第二端的电压与该第一电压以提供驱动电流；补偿单元，耦接该第一电容及该像素驱动单元，该补偿单元用以根据该第一扫描信号以控制该第一电容的该第二端的电压；第一重置单元，藉由该补偿单元耦接该第一电容的该第二端，该第一重置单元用以根据第N+1级发光信号以重置该第一电容的该第二端的电压，该第N+1级发光信号为该N级发光信号的下一级发光信号；发光二极管，用以接收第二参考电压及该驱动电流；以及发光致能单元，用以接收该第N级发光信号，且该发光致能单元耦接于该发光二极管与该像素驱动单元之间，该发光致能单元用以根据该第N级发光信号将该驱动电流提供至该发光二极管。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该输入单元具有第一晶体管及第二晶体管，该第一晶体管的第一端用以接收数据信号，该第一晶体管的栅极端用以接收该第一扫描信号，该第一晶体管的第二端耦接该像素驱动单元及该第二晶体管的第二端，该第二晶体管的第一端用以接收该第一参考电压，该第二晶体管的栅极端用以接收该第N级发光信号。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于：该像素驱动单元包含第三晶体管，该第三晶体管的第一端用以接收该第一电压，该第二晶体管的栅极端耦接该第一电容的该第二端，该第二晶体管的第二端用以输出该驱动电流。4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于：该发光致能单元包含第四晶体管，该第四晶体管的第一端耦接该第二晶体管的第二端，该第四晶体管的栅极端用以接收该第N级发光信号，该第四晶体管的第二端耦接该发光二极管。5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈弘基，刘志伟，
申请(专利权)人：友达光电昆山有限公司，友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32