光器件的移设方法技术

提供光器件的移设方法，能够可靠地将光器件从基板转印到片上。从具有在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个光器件的光器件晶片移设多个光器件，其中，光器件的移设方法包含如下的步骤：片粘贴步骤，在基板的正面侧以覆盖多个光器件并且模仿光器件之间的间隙的方式粘贴片；缓冲层破坏步骤，在实施了片粘贴步骤之后，从基板的背面侧照射对于基板具有透过性并且对于缓冲层具有吸收性的脉冲激光束，从而破坏缓冲层；以及光器件转印步骤，在实施了缓冲层破坏步骤之后，将片从基板剥离而将多个光器件转印到片上。

【技术实现步骤摘要】
光器件的移设方法
本专利技术涉及从光器件晶片移设多个光器件的光器件的移设方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode：发光二极管)所代表的光器件被应用在显示器、照明、汽车、医疗等各种领域中。例如，LED是通过在由蓝宝石或SiC制成的基板的正面上使构成pn结的n型半导体膜和p型半导体膜外延生长而形成的。形成在基板上的光器件在从基板分离之后被安装于其他安装基板等。作为这样移设光器件的方法之一，公知有被称为激光剥离的技术。在该激光剥离中，首先，在基板的正面侧隔着缓冲层形成光器件。然后，从基板的背面侧照射激光束而使缓冲层变质，减弱基板与光器件的接合，之后，将光器件从基板分离并移送到作为移送目的地的基板(移送基板)上(参照专利文献1、2)。并且，近年来，还开发了被称为微型LED的尺寸极小的LED的制造技术。例如微型LED是通过如下的方式形成的：在基板上形成包含构成LED的各种薄膜(半导体膜等)的层(光器件层)，然后，通过蚀刻将该光器件层分割成多个微细的芯片(参照专利文献3)。专利文献1：日本特开2004-72052号公报专利文献2：日本特开2016-21464号公报专利文献3：日本特开2018-107421号公报在将上述微型LED那样的光器件安装于移设基板的情况下，将各个分离状态的光器件从基板分离并移设到移设基板。具体来说，首先，在将形成在基板的正面侧的光器件层分割成多个微细的光器件之后，在基板的正面侧粘贴移设用(转印用)的片。该片以与形成在基板上的全部的光器件的上表面接触的方式粘贴。然后，在实施了减弱基板与光器件的结合的处理(缓冲层的变质等)之后，将片从基板剥离。其结果是，多个光器件从基板分离并被转印到片上。然后，将转印了光器件的片粘贴在移设基板上，并将光器件与形成于移设基板的连接电极接合。这样，光器件被移设到移设基板上。但是，即使实施上述光器件的转印工序，有时一部分光器件也残留在基板上而未转移到片上。该现象被认为是在基板上粘贴了片时，片没有与多个光器件适当地紧贴，片与光器件的粘接不充分的情况下产生的。例如，由于在片的粘贴时保持基板的保持工作台的意外的倾斜、基板或片的厚度的偏差，有时一部分光器件与片没有适当地粘接。在该情况下，即使将片从基板剥离，一部分光器件也不追随着带而是残留在基板上。当一部分光器件未被适当地转印到片上时，需要重新进行转印工序或拾取残留于基板的光器件的作业等。其结果是，光器件的移设的作业效率降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题而完成的，其目的在于，提供能够将光器件从基板可靠地转印到片上的光器件的移设方法。根据本专利技术的一个方式，提供光器件的移设方法，从具有在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个光器件的光器件晶片移设多个该光器件，其中，该光器件的移设方法包含如下的步骤：片粘贴步骤，在该基板的正面侧以覆盖多个该光器件并且模仿该光器件之间的间隙的方式粘贴片；缓冲层破坏步骤，在实施了该片粘贴步骤之后，从该基板的背面侧照射对于该基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的脉冲激光束，从而破坏该缓冲层；以及光器件转印步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤之后，将该片从该基板剥离而将多个该光器件转印到该片上。另外，优选在该片粘贴步骤中，通过热压接将该片粘贴于该基板。或者，优选该片具有树脂层和与该基板的未形成该光器件的区域对应的环状的粘接层，在该片粘贴步骤中，以该粘接层不与该光器件接触并且该树脂层模仿该光器件之间的间隙的方式将该片粘贴于该基板。在本专利技术的一个方式的光器件的移设方法中，以模仿形成于基板的光器件的间隙的方式粘贴带。由此，多个光器件被牢固地固定于片，在将片从基板剥离时，多个光器件从基板可靠地分离。由此，能够将光器件从基板可靠地转印到片上。附图说明图1是示出光器件晶片的立体图。图2的(A)是示出光器件晶片的制造工序的剖视图，图2的(B)是示出光器件层被分割成多个光器件的状态的光器件晶片的剖视图。图3的(A)是示出在基板上粘贴片的情形的剖视图，图3的(B)是示出粘贴有片的基板的剖视图。图4的(A)示出在基板上粘贴其他片的情形的剖视图，图4的(B)是示出粘贴有其他片的基板的剖视图。图5是示出缓冲层破坏步骤中的光器件晶片的剖视图。图6是示出光器件转印步骤中的光器件晶片的立体图。标号说明11：光器件晶片；13：基板；13a：正面；13b：背面；15：间隔道；17：光器件；21：缓冲层；21a：缓冲层；23：光器件层；25：p型半导体膜；25a：p型半导体膜；27：n型半导体膜；27a：n型半导体膜；31：片(带、膜)；33：片(带、膜)；35：基材；37：树脂层；39：粘接层(糊层)；10：保持工作台；10a：保持面；10b：流路；12：框体；14：多孔部件；16：阀；18：吸引源；20：加热单元(加热构件)；22：发热体；24：金属板；26：隔热部件；30：保持工作台；30a：保持面；40：激光加工装置；42：保持工作台；42a：保持面；44：激光照射单元；46：激光振荡器；48：反射镜；50：聚光透镜；52：激光束。具体实施方式以下，参照附图对本实施方式进行说明。首先，对具有能够通过本实施方式的光器件的移设方法移设的多个光器件的光器件晶片的结构例进行说明。图1是示出光器件晶片11的立体图。光器件晶片11具有圆盘状的基板13，该基板13具有正面13a和背面13b。基板13由排列成格子状的多条间隔道15划分成多个区域，在该多个区域的正面13a侧分别形成有光器件17。以下，作为一例，对光器件17是LED(LightEmittingDiode)的情况进行说明。其中，光器件17的种类、数量、形状、构造、大小、配置等没有限制。图2的(A)是示出光器件晶片11的制造工序的剖视图。在光器件晶片11的制造工序中，首先，在基板13的正面13a侧隔着缓冲层21形成光器件层23。光器件层23是包含构成光器件17(参照图1)的各种膜(半导体膜、导电膜、绝缘膜等)的层。例如，光器件层23包含：p型半导体膜25，其由空穴为多个载流子的p型半导体构成；以及n型半导体膜27，其由电子为多个载流子的n型半导体构成。但是，光器件层23的结构最终根据形成在基板13上的光器件17的构造或功能来适当选择。缓冲层21是抑制产生由基板13和光器件层23的晶格不匹配引起的缺陷的层。缓冲层21的材料根据基板13的正面13a侧和光器件层23的下表面侧(p型半导体膜25的下表面侧)的晶格常数来适当选择。另外，缓冲层21可以由单层的膜构成，也可以由层叠起来的多个膜构成。缓冲层21、p型半导体膜25、n型半导体膜27例如通过外延生长而形成在基板13上。在该情况下，作为基板13，使用能够在基板13上外延生长出期望的薄膜的外延基板。例如，作为基板13，使用由蓝宝石、SiC等制成的单晶基板，在基板13上通过外延生长来依次形成由GaN制成的缓冲层21、由p型G本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光器件的移设方法，从具有在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个光器件的光器件晶片移设多个该光器件，其特征在于，/n该光器件的移设方法包含如下的步骤：/n片粘贴步骤，在该基板的正面侧以覆盖多个该光器件并且模仿该光器件之间的间隙的方式粘贴片；/n缓冲层破坏步骤，在实施了该片粘贴步骤之后，从该基板的背面侧照射对于该基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的脉冲激光束，从而破坏该缓冲层；以及/n光器件转印步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤之后，将该片从该基板剥离而将多个该光器件转印到该片上。/n

【技术特征摘要】
20190705 JP 2019-1258441.一种光器件的移设方法，从具有在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个光器件的光器件晶片移设多个该光器件，其特征在于，
该光器件的移设方法包含如下的步骤：
片粘贴步骤，在该基板的正面侧以覆盖多个该光器件并且模仿该光器件之间的间隙的方式粘贴片；
缓冲层破坏步骤，在实施了该片粘贴步骤之后，从该基板的背面侧照射对于该基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的脉冲激光束，从而破坏该缓冲层；以及<...

【专利技术属性】
技术研发人员：小柳将，李宰荣，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP