处理装置制造方法及图纸

提供处理装置，在使晶片从保持构件离开时良好地进行静电的除电。一边使划片带(T1)的下表面中的从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的部分的面积逐渐增大，一边向该部分吹送离子化空气(A1)，由此，将划片带(T1)所带的静电去除。因此，能够抑制从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的划片带(T1)带电，并且能够一边将划片带(T1)所带的静电去除，一边将工件组(W1)从保持面(23)搬出。由此，从卡盘工作台(20)的保持面(23)离开的划片带(T1)不容易带静电。因此，能够抑制形成在工件组(W1)的晶片(W)上的器件的品质的降低。

【技术实现步骤摘要】
处理装置
本专利技术涉及处理装置。
技术介绍
在专利文献1和专利文献2所公开的对晶片进行切削的切削装置中，晶片在隔着粘贴于其一个面的划片带保持于保持构件的状态下被切削加工。在这样的切削装置中，在切削加工之后，由于粘贴于晶片的划片带带有静电，所以形成于晶片的器件的品质有时会降低。因此，为了去除划片带上所带的静电，向划片带吹送离子化的空气。例如，在专利文献1所公开的切削装置中，在通过搬送构件使保持构件所保持的粘贴有划片带的晶片从保持构件离开之后，以追随搬送构件所保持的上升的晶片的方式变更空气的喷射方向，以使得离子化的空气与划片带发生碰撞。专利文献1：日本特开2012-049359号公报专利文献2：日本特开2015-112552号公报但是，在以往的切削装置中，在晶片从保持面完全离开之后，向划片带吹送离子化空气。因此，有时在划片带上残留有静电，器件的品质有可能降低。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，在使晶片从保持构件离开时，通过良好地进行静电的除电，抑制器件的品质降低。本专利技术的第1处理装置具有：保持构件，其具有隔着划片带对工件组进行保持的保持面，该工件组是将该划片带粘贴在环状框架和配置在该环状框架的开口处的被加工物上并进行一体化而得的；处理构件，其一边向该保持面所保持的该工件组的被加工物提供水，一边对该被加工物进行处理；升降构件，其使框架保持部在与该保持面垂直的方向上移动，该框架保持部具有对该保持面所保持的该工件组的该环状框架进行保持的至少3个保持部；以及离子发生器，其向该划片带的下表面吹送离子化空气，将该划片带所带的静电去除，其中，该升降构件构成为使对该工件组的该环状框架进行保持的该框架保持部上升，以使该工件组的该划片带的下表面从外周部分朝向中央逐渐与该保持面分离，该离子发生器构成为持续向该划片带的下表面中的从该保持面离开的部分吹送离子化空气，直到该划片带的下表面从该保持面完全离开并且该划片带的下表面进一步从该保持面离开规定的距离，该处理装置一边将该划片带所带的静电去除，一边将被加工物从该保持面搬出出。本专利技术的第2处理装置具有：保持构件，其具有隔着保护部件对被加工物进行保持的保持面，该被加工物在一个面上具有该保护部件；处理构件，其对该保持面所保持的被加工物进行处理；升降构件，其使搬送垫在与该保持面垂直的方向上移动，该搬送垫具有对一个面被保持于该保持面的被加工物的另一个面进行吸附保持的吸附面；离子发生器，其向该保护部件的下表面吹送离子化空气，将该保护部件所带的静电去除，其中，该处理装置还具有倾斜度变更构件，该倾斜度变更构件变更该搬送垫的该吸附面与该保持面的相对倾斜度，该倾斜度变更构件构成为使对该保持面所保持的被加工物进行吸附保持的该搬送垫的该吸附面与该保持面的相对倾斜度从该吸附面与该保持面互相平行的状态起逐渐增大，从而使该被加工物的该保护部件的下表面中的从该保持面离开的部分的面积逐渐增大，该离子发生器构成为持续向该保护部件的下表面中的从该保持面离开的部分吹送离子化空气，直到该保护部件的下表面从该保持面完全离开并且该保护部件的下表面进一步从该保持面离开规定的距离，该处理装置一边将该保护部件所带的静电去除，一边将被加工物从该保持面搬出。在第1处理装置中，使划片带的下表面中的从保持构件的保持面离开的部分的面积逐渐增大，同时离子发生器向该部分吹送离子化空气，由此，将划片带所带的静电去除。因此，能够抑制从保持构件的保持面离开的划片带带电，并且能够一边将划片带所带的静电去除，一边将工件组从保持面搬出。由此，从保持构件的保持面离开的划片带不容易带静电。因此，能够抑制形成在工件组的被加工物上的器件的品质的降低。在第2处理装置中，使保护部件的下表面中的从保持构件的保持面离开的部分的面积逐渐增大，同时离子发生器向该部分吹送离子化空气，由此，将保护部件所带的静电去除。因此，能够抑制从保持构件的保持面离开的保护部件带电，并且能够一边将保护部件所带的静电去除，一边将被加工物从保持面搬出。由此，从保持构件的保持面离开的保护部件不容易带静电。因此，能够抑制形成在被加工物上的器件的品质的降低。附图说明图1是本实施方式的加工装置的立体图。图2是示出切削机构的说明图。图3是示出离子发生器的结构的立体图。图4是示出在卡盘工作台的保持面所保持的工件组上配置有搬送构件的状态的说明图。图5是示出工件组的环状框架被搬送构件的保持部保持的状态的说明图。图6是示出工件组的环状框架被搬送构件的保持部抬起的状态的说明图。图7是示出工件组中的划片带的下表面的外周部分从保持面离开的状态的说明图。图8是示出划片带的下表面从卡盘工作台的保持面离开规定的距离的状态的说明图。图9是示出磨削装置的结构的框图。图10是示出在卡盘工作台的保持面所保持的晶片上配置有搬送构件的状态的说明图。图11是示出晶片的保护带的下表面的一部分从卡盘工作台的保持面离开的状态的说明图。图12是示出保护带的下表面从卡盘工作台的保持面离开规定的距离的状态的说明图。标号说明1：切削装置；12：壳体；14：控制部；16：盒载台；20：卡盘工作台；22：夹具；23：保持面；24：旋转清洗单元；27：旋转工作台；28：旋转保持面；30：搬送构件；31：框架保持部；32：保持部；33：框架保持部移动机构；35：框架保持部升降机构；41：切削机构；42：主轴；43：切削刀具；51：离子发生器；53：送风口；W1：工件组；F：环状框架；T1：划片带；2：磨削装置；55：处理构件；57：控制部；60：卡盘工作台；63：保持面；71：搬送机构；72：搬送垫；73：吸附面；74：搬送臂；75：升降构件；76：连结部；81：扩径部；85：倾斜度变更构件；86：楔部；W：晶片；T2：保护带。具体实施方式如图1所示，本实施方式的切削装置1是处理装置的一例，对作为被加工物的晶片W进行切削加工。晶片W具有大致圆形状，在正面形成有格子状的分割预定线L。在由分割预定线L划分出的各区域中形成有各种器件(未图示)。在晶片W的背面粘贴有划片带T1。在划片带T1的外周粘贴有环状框架F。即，工件组W1是通过将划片带T1粘贴在环状框架F和配置在环状框架F的开口处的晶片W上并进行一体化而形成的。这样，晶片W以借助划片带T1支承于环状框架F的工件组W1的状态在切削装置1中被加工。并且，工件组W1被收纳在未图示的盒中并被搬入到切削装置1。切削装置1具有支承台10、设置于支承台10的卡盘工作台20以及竖立设置在支承台10的长方体状的壳体12。在支承台10的一端侧设置有盒载台16，该盒载台16载置保持多个工件组W1的盒(未图示)。在盒载台16与卡盘工作台20之间设置有搬送工件组W1的推拉构件17。推拉构件17具有：推拉臂171，其从盒中取出或放入晶片W；以及推拉臂移动机构172，其使推拉臂171在Y轴方向上往复移动。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理装置，其具有：/n保持构件，其具有隔着划片带对工件组进行保持的保持面，该工件组是将该划片带粘贴在环状框架和配置在该环状框架的开口处的被加工物上进行一体化而得的；/n处理构件，其一边向该保持面所保持的该工件组的被加工物提供水，一边对该被加工物进行处理；/n升降构件，其使框架保持部在与该保持面垂直的方向上移动，该框架保持部具有对该保持面所保持的该工件组的该环状框架进行保持的至少3个保持部；以及/n离子发生器，其向该划片带的下表面吹送离子化空气，将该划片带所带的静电去除，/n其中，/n该升降构件构成为使对该工件组的该环状框架进行保持的该框架保持部上升，以使该工件组的该划片带的下表面从外周部分朝向中央逐渐与该保持面分离，/n该离子发生器构成为持续向该划片带的下表面中的从该保持面离开的部分吹送离子化空气，直到该划片带的下表面从该保持面完全离开并且该划片带的下表面进一步从该保持面离开规定的距离，/n该处理装置一边将该划片带所带的静电去除，一边将被加工物从该保持面搬出。/n

【技术特征摘要】
20190702 JP 2019-1236131.一种处理装置，其具有：
保持构件，其具有隔着划片带对工件组进行保持的保持面，该工件组是将该划片带粘贴在环状框架和配置在该环状框架的开口处的被加工物上进行一体化而得的；
处理构件，其一边向该保持面所保持的该工件组的被加工物提供水，一边对该被加工物进行处理；
升降构件，其使框架保持部在与该保持面垂直的方向上移动，该框架保持部具有对该保持面所保持的该工件组的该环状框架进行保持的至少3个保持部；以及
离子发生器，其向该划片带的下表面吹送离子化空气，将该划片带所带的静电去除，
其中，
该升降构件构成为使对该工件组的该环状框架进行保持的该框架保持部上升，以使该工件组的该划片带的下表面从外周部分朝向中央逐渐与该保持面分离，
该离子发生器构成为持续向该划片带的下表面中的从该保持面离开的部分吹送离子化空气，直到该划片带的下表面从该保持面完全离开并且该划片带的下表面进一步从该保持面离开规定的距离，
该处理装置一边将该划片带所带的静电去除，一边将被加工物从该保持面搬出。

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【专利技术属性】
技术研发人员：新田秀次，瓜田直功，江角和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP