半导体封装制造技术

技术编号:26893485 阅读:27 留言:0更新日期:2020-12-29 16:15
本发明专利技术实施例公开半导体封装及形成所述半导体封装的方法。所述半导体封装中的一者包括第一管芯、第二管芯、穿孔以及介电包封体。第二管芯结合到第一管芯。穿孔设置在第二管芯旁边且电连接到第一管芯。穿孔包括台阶形侧壁。介电包封体包封第二管芯及穿孔。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
本专利技术实施例涉及一种半导体封装。
技术介绍
近年来,由于各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度持续提高,半导体行业已经历快速成长。在很大程度上来说,集成密度的这种提高归因于最小特征大小(minimumfeaturesize)的连续减小,这使得能够在给定面积中集成有更多组件。与先前的封装相比,这些较小的电子组件也需要占据较小面积的较小的封装。半导体的封装类型的实例包括四方扁平封装(quadflatpack,QFP)、引脚栅阵列(pingridarray,PGA)、球栅阵列(ballgridarray,BGA)、倒装芯片(flipchip,FC)、三维集成电路(three-dimensionalintegratedcircuit,3DIC)、晶片级封装(waferlevelpackage,WLP)以及叠层封装(packageonpackage,PoP)装置。一些3DIC是通过将芯片放置在半导体晶片级上的芯片之上制备而成。3DIC提供提高的集成密度及其他优点,例如更快的速度及更高的带宽,这是因为堆叠的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装,包括:/n第一管芯;/n第二管芯,结合到所述第一管芯;/n穿孔,设置在所述第二管芯旁边且电连接到所述第一管芯,其中所述穿孔包括台阶形侧壁;以及/n介电包封体,包封所述第二管芯及所述穿孔。/n

【技术特征摘要】
20190627 US 62/867,855;20191020 US 16/658,1311.一种半导体封装,...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈明发吴念芳叶松峯刘醇鸿史朝文
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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