半导体裸芯及半导体封装体制造技术

公开了一种半导体裸芯。该半导体裸芯包括：基层；至少一个互补金属氧化物半导体电路，布置在基层的第一侧上，并且配置为与至少一个存储器裸芯通信，其中，至少一个存储器裸芯独立于半导体裸芯；控制器电路，布置在基层的第一侧上，并且配置为控制至少一个互补金属氧化物半导体电路和至少一个存储器裸芯；输出端子，布置在至少一个互补金属氧化物半导体电路和控制器电路之上，并与至少一个互补金属氧化物半导体电路和控制器电路电互连；以及导电连接件，布置在输出端子的每一个之上。还公开了一种半导体封装体。

【技术实现步骤摘要】
半导体裸芯及半导体封装体
本技术总体上涉及一种半导体裸芯及半导体封装体。具体而言，本技术涉及一种CMOS电路和控制器电路集成的半导体裸芯及包含该半导体裸芯的半导体封装体。
技术介绍
便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储装置，诸如闪存存储卡，已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量，使得此类存储装置理想地用于多种电子设备中，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。随着需要越来越小电子器件，半导体封装体可以设计为将裸芯经由电子接口连接到外置系统以使得更加紧凑电子器件成为可能并且支撑更大的电路密度。
技术实现思路
根据一个方面，提供一种半导体裸芯，半导体裸芯包括：至少一个互补金属氧化物半导体(CMOS)电路模块，电耦接到至少一个存储器裸芯，至少一个存储器裸芯独立于半导体裸芯；以及控制器模块，电耦接到互补金属氧化物半导体电路模块，并且配置为控制至少一个互补金属氧化物半导体电路模块和至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体裸芯，包括：/n基层；/n至少一个互补金属氧化物半导体电路，布置在所述基层的第一侧上，并且配置为与至少一个存储器裸芯通信，其中，所述至少一个存储器裸芯独立于所述半导体裸芯；/n控制器电路，布置在所述基层的第一侧上，并且配置为控制所述至少一个互补金属氧化物半导体电路和所述至少一个存储器裸芯；/n输出端子，布置在所述至少一个互补金属氧化物半导体电路和所述控制器电路之上，并与所述至少一个互补金属氧化物半导体电路和所述控制器电路电互连；以及/n导电连接件，布置在所述输出端子的每一个之上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体裸芯，包括：
基层；
至少一个互补金属氧化物半导体电路，布置在所述基层的第一侧上，并且配置为与至少一个存储器裸芯通信，其中，所述至少一个存储器裸芯独立于所述半导体裸芯；
控制器电路，布置在所述基层的第一侧上，并且配置为控制所述至少一个互补金属氧化物半导体电路和所述至少一个存储器裸芯；
输出端子，布置在所述至少一个互补金属氧化物半导体电路和所述控制器电路之上，并与所述至少一个互补金属氧化物半导体电路和所述控制器电路电互连；以及
导电连接件，布置在所述输出端子的每一个之上。


2.根据权利要求1所述的半导体裸芯，其中所述至少一个互补金属氧化物半导体电路包括地址和/或命令控制电路，并且配置为与所述至少一个存储器裸芯通信以传输地址和/或命令的信号。


3.根据权利要求1所述的半导体裸芯，其中所述至少一个互补金属氧化物半导体电路包括逻辑控制阵列电路和/或模拟电路。


4.根据权利要求1所述的半导体裸芯，其中所述控制器电路配置为专用集成电路。


5.根据权利要求1所述的半导体裸芯，其中所述控制器电路和所述至少一个互补金属氧化物半导体电路布置在同一层。


6.根据权利要求1所述的半导体裸芯，其中所述控制器电路和所述至少一个互补金属氧化物半导体电路上下交叠布置。


7.根据权利要求1所述的半导体裸芯，其中所述导电连接件包括微凸块。


8.一种半导体封装体，包括：
转接器，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
半导体裸芯，布置在所述转接器的第一表面上；以及
至少一个存储器裸芯，布置在所述转接器的第一表面之上且在所述半导体裸芯上或布置在所述转接器的第二表面上；
其中所述半导体裸芯，包括：
基层；
至少一个互补金属氧化物半导体电路，布置在所述基层的第一侧上，并且配置为与所述至少一个存储器裸芯通信，其中，所述至少一个存储器裸芯独立于所述半导体裸芯；
控制器电路，布置在所述基层的第一侧上，并且配置为控制所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚舟，邱进添，马世能，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US