包括相对表面上的接触指的半导体装置制造方法及图纸

公开了一种平面网格阵列半导体装置，其被配置为可移除地插入主机装置和从主机装置移除。平面网格阵列半导体装置可以包括：一个或多个接触指的第一集合，在平面网格阵列半导体装置的第一表面上；以及，一个或多个接触指的第二集合，在所述平面网格阵列半导体装置的第二表面上。为了电耦接一个或多个接触指的第二集合，可以提供在一个或多个接触指的第二集合与衬底和至少一个半导体裸芯中的至少一者之间物理地延伸的一个或多个电连接体。

【技术实现步骤摘要】
包括相对表面上的接触指的半导体装置
本技术总体上涉及一种半导体装置，更特别地，涉及一种平面网格阵列半导体装置。
技术介绍
对便携式消费电子产品的要求的强劲增长驱动了对高容量储存装置的需求。非易失性半导体存储器装置(诸如闪存存储器储存卡)正在变得广泛地用于满足对数字信息储存和交换的不断增长的要求。它们的便携性、多功能性和坚固的设计，与它们的高可靠性和大容量一起，已经使这种存储器装置理想地用在包括例如数码相机、数字音乐播放器、视频游戏控制机，PDA和蜂窝电话的各种电子装置中。尽管许多变化的封装配置是已知的，而闪速存储器储存卡通常可以被制造为系统级封装(SiP)或多芯片模块(MCM)，其中存储器和控制器裸芯被安装和互连在小足印衬底上。该衬底通常可以包括刚性的电介质基质，其具有在一侧或两侧上蚀刻的导电层。在裸芯和(多个)导电层之间形成电连接体，并且(多个)导电层提供将裸芯连接到主机装置的电引线结构。一旦制成裸芯和衬底之间的电连接体，则组件典型地被包装在提供保护性封装体的模塑料中。已知提供了具有接触指的所谓的LGA(landgridarray，平面网格阵列)的存储器卡，该接触指使得卡能够可移除地插入主机装置中。在插入时，主机装置插槽中的引脚与接触指接合，以允许在存储器卡和主机装置之间通信。这样的卡包括SD卡、Nano卡、多媒体卡和SIM卡。在始终需要以更小形式因子提供更大的数据容量和传输速度的情况下，已知跨越LGA卡的整个表面来提供接触指。这在卡的制造中出现挑战。例如，在形成接触指之后，诸如控制器裸芯的组件安装在接触指之上的衬底上。在接触指之上安装这样的组件可能损坏或破坏接触指。
技术实现思路
如
技术介绍
章节所述，可能难以设计接触指覆盖装置的整个底表面的半导体装置。本技术提供了通过使接触指的可用表面面积加倍，大大增加了可以放置接触指的位置的灵活性的技术优点。另外，在需要时，本技术提供了技术优势，大大增加了可以放置接触指的可用表面积。综上，在一个示例中，本技术涉及一种半导体装置，包括：衬底，包含第一表面和相对的第二表面；一个或多个接触指的第一集合，在衬底的第一表面上；至少一个半导体裸芯，安装在衬底的第二表面上并且电耦接到衬底；模塑料，包封至少一个半导体裸芯；一个或多个接触指的第二集合，在模塑料的表面上；以及一个或多个电连接体，在一个或多个接触指的第二集合与衬底和至少一个半导体中的至少一者之间物理地延伸。在另一个示例中，本技术涉及一种平面网格阵列半导体装置，配置为可移除地插入主机装置和从主机装置移除，平面网格阵列半导体装置包含：衬底；至少一个半导体裸芯，安装在衬底上并且电耦接到衬底；模塑料，包封至少一个半导体裸芯；衬底的表面和模塑料的表面限定平面网格阵列半导体装置的第一和第二相对的主表面；一个或多个接触指的第一集合，在平面网格阵列半导体装置的第一表面上并且电耦接到衬底；一个或多个接触指的第二集合，在平面网格阵列半导体装置的第二表面上；以及一个或多个电连接体，在一个或多个接触指的第二集合与衬底和至少一个半导体中的至少一者之间物理地延伸。在另一个示例中，本技术涉及平面网格阵列半导体装置，配置为可移除地插入主机装置和从主机装置移除，平面网格阵列半导体装置包含：衬底，包含第一表面和相对的第二表面；接触指构件的第一集合，在平面网格阵列半导体装置的第一表面上，以用于与主机装置的针脚相接；至少一个半导体裸芯，安装在衬底的第二表面上并且电耦接到衬底；模塑料，包封至少一个半导体裸芯；接触指构件的第二集合，在限定平面网格阵列半导体装置的第二表面的模塑料的表面上，以用于与主机装置的针脚相接；以及电连接体构件，在一个或多个接触指的第二集合与衬底和至少一个半导体裸芯中的至少一者之间物理延伸，以用于在平面网格阵列半导体装置内电连接接触指构件的第二集合。附图说明图1是根据本技术的实施例的半导体装置的整体制造工艺的流程图。图2是根据本技术的实施例的衬底的仰视图。图3是根据本技术的实施例的在制造工艺期间的一步骤的半导体装置的边视图。图4是在制造工艺期间的一步骤的根据本技术的替代实施例的半导体装置的边视图。图5是根据本技术的实施例的在制造工艺期间的另一步骤的半导体装置的边视图。图6是根据本技术的实施例的在制造工艺期间的又一步骤的半导体装置的边视图。图7是根据本技术的实施例的在制造工艺期间的另一步骤的半导体装置的边视图。图8是根据本技术的实施例的在制造工艺期间的又一步骤的半导体装置的边视图。图9是根据本技术的实施例的在制造工艺期间的根据替代实施例的半导体装置的边视图。图10是根据本技术的实施例的在制造工艺期间的另一步骤的半导体装置的边视图。图11是根据本技术的实施例的在制造工艺期间的又一步骤的半导体装置的边视图。图12是根据本技术的实施例的完成的半导体装置的边视图。图13是根据本技术的实施例的完成的半导体装置的俯视图。具体实施例现在将参考附图描述本技术，该技术在实施例中涉及配置为可移除地插入到主机装置和从主机装置可移除的平面网格阵列半导体装置。平面网格阵列半导体装置可以包括衬底，在衬底上安装并电耦接到衬底的至少一个半导体裸芯以及包封至少一个半导体裸芯的模塑料。衬底的表面和模塑料的表面限定了平面网格阵列半导体装置的第一和第二相对的主表面。根据本技术，一个或多个接触指的第一集合可以形成在平面网格阵列半导体装置的第一表面上，并且一个或多个接触指的第二集合可以形成在在平面网格阵列半导体装置的第二表面上。为了将一个或多个接触指的第二集合电耦接在平面网格阵列半导体装置的第二表面上，一个或多个电连接体可以配备为在一个或多个接触指的第二集合和至少一个衬底和至少一个半导体裸芯之间物理地延伸。一个或多个电连接体可以由穿过封装体、焊料球或柱或者穿模通孔(TMV)的垂直引线来形成。应当理解，本技术可以以许多不同形式来实施，并且不应该被解释为受限于在此提出的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将彻底和完整，并且将本技术完全传达给本领域技术人员。实际上，该技术旨在于覆盖这些实施例的替代、修改和等同物，这些实施例被包括在由所附权利要求所限定的技术的范围和精神内。此外，在本技术的以下详细描述中，提出了许多具体细节以便提供对本技术的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将清楚，可以在没有这样的具体细节的情况下实践本技术。本文所使用的术语“顶部”和“底部”、“上部”和“下部”以及“垂直”和“水平”仅作为示例和说明性目的，并不意味着限制该技术的描述因为所参考的项目可能在位置和取向上被交换。而且，如本文所用的，术语“实质上”，“近似”和/或“大约”意味着指定的尺寸或参数可以在给定应用的可接受的制造公差内变化。在一个实施例中，可接受的制造公差为±2.5％。现在将参考图1的流程图以及图1和图2到图13的底视图、边视图和俯视图来解释本技术的实施例。尽管图2至图13各自示出了单独的半导体装置140或其一部分，应当理解，装置140可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n衬底，包含第一表面和相对的第二表面；/n一个或多个接触指的第一集合，在所述衬底的第一表面上；/n至少一个半导体裸芯，安装在所述衬底的第二表面上并且电耦接到所述衬底；/n模塑料，包封所述至少一个半导体裸芯；/n一个或多个接触指的第二集合，在所述模塑料的表面上；以及/n一个或多个电连接体，在所述一个或多个接触指的第二集合与所述衬底和所述至少一个半导体中的至少一者之间物理地延伸。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
衬底，包含第一表面和相对的第二表面；
一个或多个接触指的第一集合，在所述衬底的第一表面上；
至少一个半导体裸芯，安装在所述衬底的第二表面上并且电耦接到所述衬底；
模塑料，包封所述至少一个半导体裸芯；
一个或多个接触指的第二集合，在所述模塑料的表面上；以及
一个或多个电连接体，在所述一个或多个接触指的第二集合与所述衬底和所述至少一个半导体中的至少一者之间物理地延伸。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体包含垂直引线。


3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体包含导电材料的垂直柱。


4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体包含一个或多个焊料球。


5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体在所述一个或多个触指的第二集合与所述至少一个半导体裸芯中的最上部半导体裸芯之间延伸。


6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个电连接体在所述一个或多个接触指的第二集合与所述衬底之间延伸。


7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个接触指的第二集合包含在所述模塑料的表面的两个半部上的多个接触指。


8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个或多个接触指的第二集合包含在所述模塑料的表面的一个半部上的多个接触指。


9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个半导体裸芯包含多个闪速存储器裸芯。


10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，所述至少一个半导体裸芯还包含安装在所述衬底的第二表面上的区域内的控制器裸芯。


11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，所述衬底的第一表面在与所述衬底的第二表面上的包含所述控制器裸芯的区域相对的区域中没有来自所述接触指的第一集合的接触指。


12.一种平面网格阵列半导体装置，配置为可移除地插入主机装置和从主机装置移除，所述平面网格阵列半导体装置包含：
衬底；
至少一个半导体裸芯，安装在所述衬底上并且电耦接到所述衬底；
模塑料，包封所述至少一个半导体裸芯；
所述衬底的表面和所述模塑料的表面限定所述平面网格阵列半导体装置的第一主表面和相对的第二主表面；
一个或多个接触指的第一集合，在所述平...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建德，张聪，黄湘茹，杨旭一，谭玉英，陈含笑，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US