半导体结构以及形成半导体结构的方法技术

本公开涉及半导体结构以及形成半导体结构的方法。一种半导体结构包括位于第一电介质层中的第一导电线和第二导电线，以及位于覆盖第一电介质层的第二电介质层中的第三导电线。第一导电线和第二导电线各自沿着第一方向延伸。第三导电线沿着不同于第一方向的第二方向并且至少在第二导电线上方延伸。半导体结构还包括位于第二电介质层中并且电连接第二导电线和第三导电线的通孔。通孔定位在第二导电线的一部分上。半导体结构还包括位于第一导电线上方的电介质帽盖部。电介质帽盖部的底表面低于第一电介质层的顶表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构以及形成半导体结构的方法
本公开总体涉及半导体结构以及形成半导体结构的方法。
技术介绍
集成电路包含许多器件，例如，在半导体衬底上和/或半导体衬底中制造的晶体管、二极管、电容器和电阻器。这些器件最初彼此隔离，并且随后互连在一起以在后端工艺线(backendofline，BEOL)工艺阶段形成功能电路。随着集成电路中的特征持续缩小，互连结构对集成电路的性能和可靠性的影响有所增加。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：第一导电线和第二导电线，所述第一导电线和所述第二导电线位于第一电介质层中，其中，所述第一导电线和所述第二导电线各自沿着第一方向延伸；第三导电线，所述第三导电线位于覆盖所述第一电介质层的第二电介质层中，其中，所述第三导电线沿着不同于所述第一方向的第二方向并且至少在所述第二导电线上方延伸；通孔，所述通孔位于所述第二电介质层中并且电连接所述第二导电线和所述第三导电线，其中，所述通孔定位在所述第二导电线的一部分上；以及电介质帽盖部，所述电介质帽盖部位于所述第一导电线上方，其中，所述电介质帽盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n第一导电线和第二导电线，所述第一导电线和所述第二导电线位于第一电介质层中，其中，所述第一导电线和所述第二导电线各自沿着第一方向延伸；/n第三导电线，所述第三导电线位于覆盖所述第一电介质层的第二电介质层中，其中，所述第三导电线沿着不同于所述第一方向的第二方向并且至少在所述第二导电线上方延伸；/n通孔，所述通孔位于所述第二电介质层中并且电连接所述第二导电线和所述第三导电线，其中，所述通孔定位在所述第二导电线的一部分上；以及/n电介质帽盖部，所述电介质帽盖部位于所述第一导电线上方，其中，所述电介质帽盖部的底表面低于所述第一电介质层的顶表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
第一导电线和第二导电线，所述第一导电线和所述第二导电线位于第一电介质层中，其中，所述第一导电线和所述第二导电线各自沿着第一方向延伸；
第三导电线，所述第三导电线位于覆盖所述第一电介质层的第二电介质层中，其中，所述第三导电线沿着不同于所述第一方向的第二方向并且至少在所述第二导电线上方延伸；
通孔，所述通孔位于所述第二电介质层中并且电连接所述第二导电线和所述第三导电线，其中，所述通孔定位在所述第二导电线的一部分上；以及
电介质帽盖部，所述电介质帽盖部位于所述第一导电线上方，其中，所述电介质帽盖部的底表面低于所述第一电介质层的顶表面。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述通孔在所述第二方向上延伸超出所述第二导电线的边缘。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述通孔所定位的所述第二导电线的所述一部分具有在所述第一导电线的位于所述电介质帽盖部下方的一部分的顶表面上方的顶表面。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电介质帽盖部具有与所述第一电介质层的顶表面共面的顶表面。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电介质帽盖部包括碳化硅、氮化硅、氮掺杂碳化物、或高k电介质材料。


7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间，其中，所述通孔延伸穿过所述第二电介质层的下部和所述蚀刻停止层以接触所述第二导电线的所述一部分。


8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄义钧，陈奕志，郭俊玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，台积电南京有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71