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本公开涉及半导体结构以及形成半导体结构的方法。一种半导体结构包括位于第一电介质层中的第一导电线和第二导电线，以及位于覆盖第一电介质层的第二电介质层中的第三导电线。第一导电线和第二导电线各自沿着第一方向延伸。第三导电线沿着不同于第一方向的第二...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司授权不得商用。