一种互连线的形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种互连线的形成方法。在本发明专利技术实施例中，在所述半导体衬底上形成端部相对的第一芯轴图案和第二芯轴图案，所述第一芯轴图案包括多个基本平行的第一芯轴线和连接所述第一芯轴线端部的第二芯轴线，所述第二芯轴图案包括多个基本平行的第三芯轴线和连接所述第三芯轴线端部的第四芯轴线。由于在第一芯轴图案的端部形成第二芯轴线，第二芯轴线侧壁形成的侧墙能够隔离侧墙内侧形成的互连线和侧墙外侧的互连线，进而能够扩大互连线截断区的移动范围。同时，由于第一芯轴线的端部被第二芯轴线连接，第一芯轴图案在端部没有单一的第一芯轴线，芯轴图案的端部不会出现回缩的现象。进一步确保了互连线的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种互连线的形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种互连线的形成方法。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。在半导体器件的制造流程中，涉及互连线的形成工艺，所述互连线用于连接芯片中的晶体管及电容等半导体结构，以在芯片中形成电路结构。然而，互连线的可靠性还需要提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种互连线的形成方法，以提高半导体器件的可靠性。本专利技术实施例提供的互连线的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括依次叠置的停止层和芯轴层；图案化所述芯轴层，以在所述半导体衬底上形成芯轴图案，其中，所述芯轴图案包括在预定的互连线截断区形成的第一芯轴图案和第二芯轴图案，所述第一芯轴图案和所述第二芯轴图案端部相对，所述第一芯轴图案包括多个基本平行的第一芯轴线和连接所述第一芯轴线端部的第二芯轴线，所述第二芯轴图案包括多个基本平行的第三芯轴线和连接所述第三芯轴线端部的第四芯轴线；形成覆盖所述芯轴图案的侧壁的侧墙；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互连线的形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括依次叠置的停止层和芯轴层；/n图案化所述芯轴层，以在所述半导体衬底上形成芯轴图案，其中，所述芯轴图案包括在预定的互连线截断区形成的第一芯轴图案和第二芯轴图案，所述第一芯轴图案和所述第二芯轴图案端部相对，所述第一芯轴图案包括多个基本平行的第一芯轴线和连接所述第一芯轴线端部的第二芯轴线，所述第二芯轴图案包括多个基本平行的第三芯轴线和连接所述第三芯轴线端部的第四芯轴线；/n形成覆盖所述芯轴图案的侧壁的侧墙；/n在所述芯轴图案上形成介质层，所述介质层覆盖所述互连线截断区；/n去除未被所述介质层覆盖的所述芯轴图...

【技术特征摘要】
1.一种互连线的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括依次叠置的停止层和芯轴层；
图案化所述芯轴层，以在所述半导体衬底上形成芯轴图案，其中，所述芯轴图案包括在预定的互连线截断区形成的第一芯轴图案和第二芯轴图案，所述第一芯轴图案和所述第二芯轴图案端部相对，所述第一芯轴图案包括多个基本平行的第一芯轴线和连接所述第一芯轴线端部的第二芯轴线，所述第二芯轴图案包括多个基本平行的第三芯轴线和连接所述第三芯轴线端部的第四芯轴线；
形成覆盖所述芯轴图案的侧壁的侧墙；
在所述芯轴图案上形成介质层，所述介质层覆盖所述互连线截断区；
去除未被所述介质层覆盖的所述芯轴图案，以在相邻的所述侧墙之间形成多个沟槽；
在所述沟槽中形成互连线。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三芯轴线在所述第一芯轴线的延长线上。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二芯轴线和所述第四芯轴线基本平行。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯轴图案和所述第二芯轴图案之间具有第一距离。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述介质层在平行于所述第一芯轴线方...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩亮，仇圣棻，张晓伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31