【技术实现步骤摘要】
用于互连性能提高的交错线及其形成工艺
本公开的实施例涉及交错互连线，并且特别地，涉及用于互连性能提高的交错互连线。
技术介绍
在各种互连技术中，使用低k层间电介质(ILD)和结构之间的气隙，以减小线到线电容，从而提高总体性能。使用低kILD的互连结构在线到线电容的提高与可图案化性和机械稳定性的降低之间进行权衡，并且因此可能难以集成。对于铜层，使用气隙需要中等k蚀刻停止部，以气密密封铜并防止其氧化。然而，蚀刻停止材料填充了互连线之间的空间并降低了总体电容效益。附图说明图1示出了根据先前方式的互连结构。图2A示出了根据实施例的交错线互连结构。图2B示出了根据实施例的包括交错线和交错线中的气隙的互连结构。图2C示出了根据实施例的互连结构，该互连结构包括在交错线中的每者中具有气隙的交错线。图3A和图3B是针对参考图2A-图2C描述的互连结构的各种构造的总电容对纵横比和归一化的1/RC对纵横比的曲线图的图示。图4A-图4K示出了根据实施例的在互连结构的制造期间的阶段的互连
【技术保护点】
1.一种互连结构，包括：/n第一互连线；/n第二互连线，所述第一互连线和所述第二互连线是交错的，其中，所述第二互连线中的各个互连与所述第一互连线中的各个互连横向偏移；以及/n电介质材料，其与所述第一互连线和所述第二互连线中的至少一个中的各个互连的至少一部分相邻。/n
【技术特征摘要】
20190627 US 16/455,6621.一种互连结构，包括：
第一互连线；
第二互连线，所述第一互连线和所述第二互连线是交错的，其中，所述第二互连线中的各个互连与所述第一互连线中的各个互连横向偏移；以及
电介质材料，其与所述第一互连线和所述第二互连线中的至少一个中的各个互连的至少一部分相邻。
2.根据权利要求1所述的互连结构，还包括所述第一互连线中的各个互连之间的气隙。
3.根据权利要求1所述的互连结构，还包括所述第二互连线中的各个互连之间的气隙。
4.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一互连线和所述第二互连线都包括位于各个互连之间的气隙。
5.根据权利要求1或4所述的互连结构，其中，所述第一互连线和所述第二互连线至少部分地被蚀刻停止部包围。
6.根据权利要求1、2、3或4所述的互连结构，还包括所述第一互连线上方的电介质层。
7.一种互连结构，包括：
第一互连线；
第二互连线，所述第一互连线和所述第二互连线是交错的，其中，所述第二互连线中的各个互连与所述第一互连线中的各个互连横向偏移；以及
电介质材料，其占据所述第一互连线中的各个互连与所述第二互连线中的各个互连之间的空间。
8.根据权利要求7所述的互连结构，其中，所述第一互连线连接到位于所述第二互连线下方的金属层。
9.根据权利要求7或8所述的互连结构，其中，所述第二互连线连接到位于所述第一互连线上方的金属层。
10.根据权利要求7或8所述的互连结构，其中，所述第一互连线和所述第二互连线具有不同的图案。
11.根据权利要求7或8所述的互连结构，其中，所述第一互连线和所述第二互连线具有不同的宽度和间距。
12.根据权利要求7或8所述的互连结构，其中，所述第一互连线和所述第二互连线具有不同的高度。
13.根据权利要求7或8所述的互连结构，其中，所述第一互连线和所述第二互连线垂直重叠。
14.根据权利要求7或8所述的互连结构，其中，所述第一互连线中的至少一个互连和所述第二互连线中的至少一个互连一起具有T结构。
15.根据权利要求7或8所述的互连结构，还包括至少一个互连，所述至少一个互连是所述第一互连线和所述第二互连线两者的一部分并且从所述第一互连线延伸到所述第二互连线。
16.根据权利要求7或8所述的互连结构，其中，所述第一互连线和所述第二互连线中的至少一个的顶部部分或底部部分是圆化的。
17.根据权利要求7或8所述的互连结构，其中，气隙延伸了所述第一互连线和所述第二互连线两者的整个长度。
18.一种系统，包括：
存储部件；
多个集成电路管芯，其包括一个或多个互连结构，所述互连结构包括：
第一互连线；
第二互连线，所述第一互连线和所述第二互连线是交错的，其中，所述第二互连线中的各个互连与所述第一互连线中的各个互连横向偏移；以及
电介质材料，其与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·L·林，M·昌德霍克，M·雷什奥特克，C·杰泽斯基，E·韩，G·辛格，S·阿塔纳索夫，I·A·扬，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。